一种LED标准方片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种LED标准方片及其制作方法，该标准方片包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；所述多个晶粒划分为n个BIN，按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，构成该组BIN的任意晶粒的光强符合范围IV.avg×(0.95～1.10)。本发明专利技术提升了LED晶圆片测试机校正的精准度和可靠度，同时在一定程度上改善了测试机校正或监控作业的效果、效率和成本。

【技术实现步骤摘要】
一种LED标准方片及其制作方法
本专利技术属于LED芯片制造领域，特别是涉及一种LED标准方片及其制作方法。
技术介绍
在LED芯片制造领域中，通常会采用品质优良的LED晶圆片或LED封装器件对测试机进行一致性校正和稳定性监控，确认机台状况良好之后再投入LED量产晶圆片测试。而目前LED晶圆片测试机校正或监控的做法是，用同一张或几张LED晶圆片或一套LED封装器件来校正各测试机与标准测试机之间的一致性。但单张LED晶圆片用作校正或监控件难以覆盖到的全波长段，造成部分波长段未校正，且因不同光强的晶粒校正得出的系数也会不同，所以光强集中性差亦会造成校正系数离散、校正准确度差。同时在机台校正或监控时，若采用多张LED晶圆片作为校正或监控件，通过对其Mapping测试若干排晶粒的做法，不仅难以克服上述光强集中性差的问题，同时会增加切换校正或监控件带来测试作业手法的误差。若对该校正或监控件采用固定间隔晶粒的方式抽测，则不但会与LED量产晶圆片采用的Mapping全测存在方式上的差异而引起误差，而且多数晶粒会因被探测多次而导致电极上针痕粗大的问题，在后制程中不易被集中起来挑除导致分选时混至良品中，从而造成生产制程的其他异常问题，并且同样无法规避上述光强集中性差的问题。若采用LED封装器件作为校正或监控件，非但制作成本较高，亦会存在光衰，特别是使用时定位一致性差使发光角度偏移引起误差、而且只能通过人工逐颗定位测试，效率极低，同时，它与LED量产晶圆片存在形态上的差异亦会引起误差。因此迫切需要有一种新的完全可靠的测试机校正、监控件的出现。
技术实现思路
本专利技术提供的一种LED标准方片及其制作方法，提升了 LED晶圆片测试机校正的精准度和可靠度，同时在一定程度上改善了测试机校正或监控作业的效果、效率和成本。本专利技术的第一种技术解决方案是:一种LED标准方片，其特殊之处在于:包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6 3 λ std ^ 3、光强IV标准差IVstd ( 8 ;所述晶粒的漏电流Ir的最大值均相等、顺向电压Vf的最小值均相等、顺向电压Vf的最大值均相等；所述多个晶粒按波长划分为η个BIN，分别为BIN1、BIN2、...、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列Μ排；ΒΙΝ1中任意晶粒的波长为λ 1，ΒΙΝ2中任意晶粒的波长为λ 2，…、BINn中任意晶粒的波长为λ η ；λ 1、λ 2、…、λ η符合以下条件:χ < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+(n_l)a < λη < x+na,其中，445nm≤ x ≤450nm, 0.lnm ≤a ≤ 2.0nm ；按照以下分组规则对n个BIN进行分组:至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；IV1、IV2、…、IVt符合以下条件:IV1.avgX0.95 ≤ IV1 < IV1.avgX 1.10, IV2.avgX0.95 ≤IV2 < IV2.avgX 1.10,…、IVt.avgX0.95 ≤ IVt < IVt.avgX 1.10 ；其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，ivt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；各个BIN排布的最大列数Imax =分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax=分选设备置晶行程/B1 ;Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。上述a = 1.0nm。上述晶粒的形状是长方形，在所述胶膜上，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧。上述n = 30 ;该30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为luA~2uA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V~3.0V和3.2V~3.4V ;所述BIN1中λ 1的最小值为445nm、λ 1的最大值为445.9nm，自BIN1起，每个BIN中波长的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式递增。上述30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为luA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V和3.2V ；所述分组规则是指:设BIN1至BIN5为第一组BIN，第一组BIN中晶粒的光强的最小值为80mcd、最大值为90mcd,各组BIN中晶粒的光强的最小值和最大值均按照等差lOmcd的方式递增。本专利技术的第二种技术解决方案是:LED标准方片的制作方法，其特殊之处在于:包括以下步骤:1】挑选LED晶圆片:从Mapping全测完的LED量产晶圆片中挑选制作LED标准方片所需的LED晶圆片；所述LED晶圆片具备相同材料和品质的衬底、相同嘉晶工艺和品质的外延结构、相同芯片制造工艺和品质；且单张LED晶圆片波长λ的标准差6≥λ std≥3、光强IV标准差IVstd ≤ 8 ;所述LED晶圆片的数量至少为2张；所述单张LED圆晶片的漏电流Ir、顺向电压Vf和抗静电性能ESD的良率均≥80% ；2】对步骤1】中挑选的LED晶圆片的Mapping全测值进行分类:将步骤1】中挑选的LED晶圆片的晶粒按照以下条件划分为η个BIN:n个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值均相等，顺向电压Vf的最小值均相等，顺向电压Vf的最大值均相等；BIN1中晶粒的波长为λ 1，ΒΙΝ2中晶粒的波长为λ 2，…、BINn中晶粒的波长为入η ；λ1、λ2、…、λ η符合以下条件:x < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+(n_l)a < λη < x+na,其中，445nm^ x ^ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm ；按照以下分组规则对n个BIN进行分组:至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；IV1、IV2、…、IVt符合以下条件:IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10, IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10,…、IVt.avgX0.95 ^ IVt < IVt.avgX 1.10 ；其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，ivt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；按照上述条件对每张LED晶圆片的Mapping全测值进行分类，得出符合制作标准方片的类别BINn和各BIN晶粒颗数的分布；3】预计可制作标准方片的张数Q:结合上述BINn和各BIN晶粒颗数的分布、预设单张标准方片中每个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED标准方片，其特征在于：包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；所述晶粒的漏电流Ir的最大值均相等、顺向电压Vf的最小值均相等、顺向电压Vf的最大值均相等；所述多个晶粒按波长划分为n个BIN，分别为BIN1、BIN2、…、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列M排；BIN1中任意晶粒的波长为λ1，BIN2中任意晶粒的波长为λ2，…、BINn中任意晶粒的波长为λn；λ1、λ2、…、λn符合以下条件：x≤λ1＜x+a，x+a≤λ2＜x+2a，…，x+(n?1)a≤λn＜x+na，其中，445nm≤x≤450nm，0.1nm≤a≤2.0nm；按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；IV1、IV2、…、IVt符合以下条件：IV1.avg×0.95≤IV1＜IV1.avg×1.10，IV2.avg×0.95≤IV2＜IV2.avg×1.10，…、IVt.avg×0.95≤IVt＜IVt.avg×1.10；其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；各个BIN排布的最大列数Imax＝分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax＝分选设备置晶行程/Bl；Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。...

【技术特征摘要】
1.一种LED标准方片，其特征在于:包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6 3 λ std ^ 3、光强IV标准差IVstd ( 8 ;所述晶粒的漏电流Ir的最大值均相等、顺向电压Vf的最小值均相等、顺向电压Vf的最大值均相等；所述多个晶粒按波长划分为η个BIN，分别为BIN1、BIN2、...、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列Μ排； ΒΙΝ1中任意晶粒的波长为λ 1，ΒΙΝ2中任意晶粒的波长为λ 2，…、BINn中任意晶粒的波长为入η ；λ 1、λ 2、…、λ η符合以下条件:χ < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,…，x+ (n_l) a < λ n < x+na,其中，445nm ^ x ^ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm ；按照以下分组规则对n个BIN进行分组:至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；IV1、IV2、…、IVt符合以下条件:IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10，IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10，…、IVt.avgX0.95 ( IVt < IVt.avgX 1.10 ；其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；各个BIN排布的最大列数Imax =分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax =分选设备置晶行程/B1 ;Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。2.根据权利要求1所述的LED标准方片，其特征在于:所述a= 1.0nm。3.根据权利要求1或2所述的LED标准方片，其特征在于:所述晶粒的形状是长方形，在所述胶膜上，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧。4.根据权利要求3所述的LED标准方片，其特征在于:所述η= 30 ;该30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为luA~2uA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V~3.0V 和 3.2V ~3.4V ;所述BIN1中λ 1的最小值为445nm、λ 1的最大值为445.9nm,自BIN1起，每个BIN中波长的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式递增。5.根据权利要求4所述的LED标准方片，其特征在于:所述30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为luA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V和3.2V；所述分组规则是指:设BIN1至BIN5为第一组BIN，第一组BIN中晶粒的光强的最小值为80mcd、最大值为90mcd,各组BIN中晶粒的光强的最小值和最大值均按照等差lOmcd的方式递增。6.权利要求1所述LED标准方片的制作方法，其特征在于:包括以下步骤:1】挑选LED晶圆片:从Mapping全测完的LED量产晶圆片中挑选制作LED标准方片所需的LED晶圆片；所述LED晶圆片具备相同材料和品质的衬底、相同嘉晶工艺和品质的外延结构、相同芯片制造工艺和品质；且单张LED晶圆片波长λ的标准差6≥λ std≥3、光强IV标准差IVstd≤ 8 ；所述LED晶圆片的数量至少为2张；所述单张LED圆晶片的漏电流Ir、顺向电压Vf和抗静电性能ESD的良率均≥80% ；2】对步骤1】中挑选的LED晶圆片的Mapping全测值进行分类:将步骤1】中挑选的L...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖余盟，陈起伟，周立业，缪炳有，李斌，
申请(专利权)人：西安神光皓瑞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：