半导体装置的制造方法和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。为了增强半导体装置的可靠性，半导体装置包括：管芯焊盘，第一半导体芯片和第二半导体芯片分别安装在其上；多个支撑腿，其支撑管芯焊盘中的每一个；多个内部引线和外部引线，其布置在管芯焊盘周围；多个导线，其将半导体芯片电耦合到内部引线；以及密封体，其密封半导体芯片、内部引线和导线。管芯焊盘中的每一个被与管芯焊盘一起一体地形成的三个支撑腿支撑，并且每对三个支撑腿中的第二支撑腿中的每一个被布置在彼此相邻的内部引线之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法和半导体装置相关申请的交叉引用将2012年9月7日提交的日本专利申请N0.2012-197142的公开，包括说明书、附图和摘要，以其整体通过引用方式并入本文。
本专利技术涉及半导体装置和该半导体装置的制造方法，并且涉及(例如)包括支撑管芯焊盘(die pad)的支撑腿(support pin)的半导体装置和被应用于组装该半导体装置的有效技术。
技术介绍
例如，作为引线框架装置，日本未审查专利申请公开(PCT申请的译文)N0.2002-505523 (专利文献1)公开了一种包括由第一材料制成的引线框架、许多引线和由第二材料制成的管芯焊盘的结构。
技术实现思路
在包括支撑上面安装有半导体芯片的管芯焊盘(也被称作“岛”)的支撑腿(也被称作“支撑引线”)的半导体装置(半导体封装)中，支撑腿被布置在(例如)管芯焊盘的角部处或相对边上并且适当地支撑管芯焊盘。另外，在具有为了安装多个半导体芯片而按行布置多个管芯焊盘的结构的半导体装置中，通过使用与外部引线连接的引线作为管芯焊盘的支撑腿，每个管芯焊盘可以由三个支撑腿支撑(被三个点支撑)，因此确保了管芯接合(die bonding)、导线接合(wirebonding)等的可靠性。然而，当为了半导体装置的功能增强而在不改变半导体装置主体的尺寸(外观尺寸)的情况下尝试增加引脚数量时，必须通过减少支撑管芯焊盘的支撑腿的数量来提供用于信号的独立引线，因此支撑腿的数量减少并且管芯焊盘被两个点支撑。结果，管芯焊盘的支撑状态变得不稳定。因此，如果在半导体器件的组装过程中向管芯焊盘施加外部负载，则管芯焊盘变形或者在垂直方向上震动，因此可能在该过程中出现麻烦，或者半导体芯片和导线受损。也就是说，在管芯接合过程和导线接合过程中，可能因为管芯焊盘垂直地移动(震动)并且没有向管芯焊盘施加充分负载而出现接合失效，或者在树脂模制过程中，管芯焊盘垂直地移动(震动)，因此半导体芯片和导线受损，从而导致导线断开等失效。注意的是，在专利文献1中公开的引线框架装置中，粘合杆(binding bar)(支撑腿)由第一材料制造，并且管芯焊盘由第二材料制造。因此，引线框架装置具有如下的框架结构:支撑腿和管芯焊盘由不同材料形成，此后将支撑腿和管芯焊盘彼此耦合。在这种框架结构中，在管芯焊盘中需要针对支撑腿的耦合部分，因此管芯焊盘不得不比芯片尺寸大得多。也就是说，管芯焊盘不能减小至与芯片一样小的尺寸，因此不可以采用以上的框架结构，即，在小半导体装置中，支撑腿和管芯焊盘被形成为不同部分，此后将它们彼此耦合。本申请中公开的实施例的目的在于提供一种能够增强半导体装置可靠性的技术。从本说明书的描述和附图，其它问题和新特征将变得清楚。根据实施例的一种半导体装置的制造方法包括以下步骤:设置引线框架，该引线框架包括多个管芯焊盘和多个支撑腿；将半导体芯片安装在管芯焊盘上；通过导线将半导体芯片的电极焊盘电耦合到内部引线；以及形成密封支撑腿、半导体芯片和导线的密封体。此外，在该半导体装置的制造方法中，支撑腿包括第一支撑腿、第二支撑腿和第三支撑腿，该第一支撑腿与该外部引线连接，该第二支撑腿布置在该内部引线中的两个之间并且与联结杆(tie bar)连接，该第三支撑腿连接到该管芯焊盘的与连接该第一支撑腿和该第二支撑腿的边不同的边。该第一支撑腿、该第二支撑腿和第三支撑腿与该管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。根据上述的实施例，可以增强半导体装置的可靠性。【附图说明】图1是示出透过密封体看到的实施例的半导体装置结构的例子的平面图；图2是示出沿着图1中的A-A线截取的结构的例子的剖视图；图3是示出沿着图1中的B-B线截取的结构的例子的剖视图；图4是示出图1中示出的半导体装置的组装工序的例子的流程图；图5是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；图6是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；图7是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；图8是示出在组装图1中示出的半导体装置时使用的引线框架的结构的例子的放大局部平面图；图9是示出图8中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；图10是示出在组装图1中示出的半导体装置时的封装分离过程中分离第二支撑腿的方法的例子的放大局部平面图；图11是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之前)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图；图12是示出图11中的D部分的结构的放大局部平面图；图13是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之后)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图；图14是示出图13中的G部分的结构的放大局部平面图；图15是示出图14的详细结构的放大局部平面图；图16是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第二修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；图17是示出图16中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；图18是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第三修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；图19是示出图18中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；图20是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第四修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；图21是示出图20中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；图22是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第五修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图；图23是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第六修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；图24是示出沿着图23中的A_A线截取的结构的剖视图；以及图25是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第七修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图。【具体实施方式】在下述的实施例中，除非特别要求，否则不再重复对相同或类似部分的描述。此外，如果必要的话，为了方便起见，将把下面的实施例分成多个部分或实施例来说明。除了特别清楚示出的情况之外，这些部分或实施例是相互不相关的并且具有一个是诸如另一个的部分或全部的修改形式、细节和补充说明的关系。在下面的实施例中，当引用要素等的数量(包括数量、数值、量、范围等)时，它们可以不限于特定数量，而是可以大于或小于特定数量，除了特别清楚指出和理论上明显限于特定数量的情况之外。此外，在下面的实施例中，不用说，要素(包括要素步骤等)不一定是不可缺少的，除了具体地清楚指出和从理论观点看明显不可缺少的情况之外。在下面的实施例中，关于要素等，不用说，“包含A”、“由A组成”、“具有A”以及“包括A”不排除除了 A之外的要素，除了清楚指出要素只是A的情况之外。类似地，在下面的实施例中，当引用要素等的形状、位置关系等时，应该包括与该形状基本上相似或类似的形状，除了特别清楚指出和从理论观点看明显被视为不正确的情况之外。这种陈述还应用于上述的数值和范围。下文中，将基于【附图说明】实施例。在所有用于说明实施例的附图中，为相同的构件赋予相同的符号并且省略其重复说明。为了使附图易于理解，即使是平面图，也可以附带阴影。(实施例)图1是示出透过密封体看到的实施例的半导体装置结构的例子的平面图。图2是示出沿着图1中的A-A线截取的结构的例子的剖视图。图3是示出沿着图1中的B-B线截取的结构的例子的剖视本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，所述方法包括以下步骤：（a）设置引线框架，所述引线框架包括：多个管芯焊盘，所述多个管芯焊盘的上表面在平面图中形成矩形形状；多个支撑腿，所述多个支撑腿支撑所述管芯焊盘中的每一个；多个内部引线，所述多个内部引线布置在所述管芯焊盘周围；多个外部引线，所述多个外部引线连接到所述内部引线中的每一个；和联结杆，所述联结杆将所述外部引线彼此耦合。（b）在步骤（a）之后，在所述管芯焊盘的所述上表面上安装半导体芯片，所述半导体芯片包括：主表面、形成在所述主表面中的多个电极焊盘，和与所述主表面相反的后表面；（c）在步骤（b）之后，经由多个导线将所述半导体芯片的所述电极焊盘分别电耦合到所述内部引线；以及（d）在步骤（c）之后，形成密封体，所述密封体密封所述支撑腿、所述内部引线、所述半导体芯片和所述导线，其中，所述管芯焊盘中的每一个并排布置，所述支撑腿包括：第一支撑腿，所述第一支撑腿连接到所述外部引线；第二支撑腿，所述第二支撑腿布置在所述内部引线中的两个之间并且连接到所述联结杆；和第三支撑腿，所述第三支撑腿连接到所述管芯焊盘的与所述第一支撑腿和所述第二支撑腿分别连接到的边不同的边，并且其中，所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和第三支撑腿与所述管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。...

【技术特征摘要】
2012.09.07 JP 2012-1971421.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括以下步骤:(a)设置引线框架，所述引线框架包括:多个管芯焊盘，所述多个管芯焊盘的上表面在平面图中形成矩形形状；多个支撑腿，所述多个支撑腿支撑所述管芯焊盘中的每一个；多个内部引线，所述多个内部引线布置在所述管芯焊盘周围；多个外部引线，所述多个外部引线连接到所述内部引线中的每一个；和联结杆，所述联结杆将所述外部引线彼此耦合。(b)在步骤(a)之后，在所述管芯焊盘的所述上表面上安装半导体芯片，所述半导体芯片包括:主表面、形成在所述主表面中的多个电极焊盘，和与所述主表面相反的后表面；(c)在步骤(b)之后，经由多个导线将所述半导体芯片的所述电极焊盘分别电耦合到所述内部引线；以及(d)在步骤(c)之后，形成密封体，所述密封体密封所述支撑腿、所述内部引线、所述半导体芯片和所述导线，其中，所述管芯焊盘中的每一个并排布置，所述支撑腿包括:第一支撑腿，所述第一支撑腿连接到所述外部引线；第二支撑腿，所述第二支撑腿布置在所述内部引线中的两个之间并且连接到所述联结杆；和第三支撑腿，所述第三支撑腿连接到所述管芯焊盘的与所述第一支撑腿和所述第二支撑腿分别连接到的边不同的边，并且其中，所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和第三支撑腿与所述管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在步骤(d)之后，当 切断所述联结杆时，同时切断所述第二支撑腿。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在步骤(d)中，通过由形成所述密封体的密封树脂向树脂模制模具的注入压力对所述联结杆施压，来扯断所述第二支撑腿，并且此后通过所述密封树脂覆盖所述第二支撑腿的顶端。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，在将所述密封树脂注入所述树脂模制模具之前，在设置与所述联结杆的间隙的情况下布置块构件，并且此后，注入所述密封树脂。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第二支撑腿中形成凹槽部分或台阶部分。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，设置两个管芯焊盘，并且分别连接到所述两个管芯焊盘的两个第二支撑腿被布置成彼此相邻。7.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金田芳晴，谷口直子，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：