浅沟槽隔离结构的形成方法技术

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述沟槽的侧壁和底部；在形成有衬垫层的沟槽内填充满氧化物；对所述氧化物先进行水汽退火，再进行低压退火，再进行干法退火；对所述氧化物进行平坦化处理。本发明专利技术的浅沟槽隔离结构的形成方法有源区线宽损失小。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述沟槽的侧壁和底部；在形成有衬垫层的沟槽内填充满氧化物；对所述氧化物先进行水汽退火，再进行低压退火，再进行干法退火；对所述氧化物进行平坦化处理。本专利技术的有源区线宽损失小。【专利说明】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
在浅沟槽隔离(ST1: Shallow Trench Isolation)制造工艺中，由于高密度等离子体(HDP:High_density Plasma)具有良好的填充能力，更好的淀积薄膜特性和更高的产量，一直被认为是浅沟槽隔离填充的首选工艺。但随着集成电路技术的不断发展，浅沟槽隔离的深宽比(AR: Aspect Ratio)越来越大,在亚65nm节点下,传统的高密度等离子体填充技术已经逐渐无法满足工艺和器件的要求。高深宽比工艺(HARP:High Aspect Ratio Process)就是针对45nm及其以下节点提出的浅沟槽隔离结构填充工艺。其通过采用基于OdPTEOS (TE0S =TetraethylOrthosilic本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述沟槽的侧壁和底部；在形成有衬垫层的沟槽内填充满氧化物；对所述氧化物先进行水汽退火，再进行低压退火，再进行干法退火；对所述氧化物进行平坦化处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何有丰，何永根，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31