半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法，包括：在硅衬底填充介质的沟槽中填充钨；淀积钛层；淀积氮化钛层；快速热退火淀积铝铜层；再次淀积钛层；再次淀积氮化钛层。本发明专利技术的半导体芯片金属阻挡层的制造方法能避免半导体芯片金属阻挡层中的钛层、氮化钛层与铝铜层产生“起皮”现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
半导体芯片的Metal-1 Layer (第一层金属阻挡层)结构由Ti (钛)层、TiN (氮化钛)层、AlCu (铝铜)层、Ti层、TiN层顺序组成；其中下层Ti层(即与填充介质相邻的Ti层)作为粘接层，TiN层作为夹层防止上下层的材料相互扩散，并防止Al (铝)的电迁移。目前，随着不同产品对Metal-1 Layer电阻值的要求，下层Ti层、TiN层厚度也必须作不同程度的匹配，引起不同层次间的黏着性变差，容易产生“起皮”现象(如图1所示，即Ti层、TiN层与AlCu层未能有效黏着)，且导致半导体芯片电迁移的能力变差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能避免半导体芯片第一层金属阻挡层中的钛层、氮化钛层与铝铜层产生“起皮”现象的。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括:( I)在硅衬底填充介质的沟槽中填充钨；(2)淀积钛层；(3)淀积氮化钛层；(4)快速热退火(5)淀积铝铜层；(6)再次淀积钛层；(7)再次淀积氮化钛层。本专利技术的制造放在步骤(3 )后增加快速热退火，快速热退火是一种采用各种能源、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法，包括：（1）在硅衬底填充介质的沟槽中填充钨；（2）淀积钛层；（3）淀积氮化钛层；（4）淀积铝铜层；（5）再次淀积钛层；（6）再次淀积氮化钛层；其特征是：在步骤（3）和（4）之间还具有步骤（A）快速热退火。

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法，包括:(I)在硅衬底填充介质的沟槽中填充钨；(2 )淀积钛层；(3)淀积氮化钛层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐伟，田蕊，赵施华，廖炳隆，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：