发光二极管装置与其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种发光二极管装置与其制造方法。发光二极管装置包含导电支架、发光二极管芯片与第一导电层。导电支架具有第一导电部、第二导电部与绝缘部。绝缘部用以间隔第一导电部与第二导电部。发光二极管芯片设置于第二导电部上，且发光二极管芯片的表面具有第一电极与第二电极。第一导电层形成于第一导电部上且位于发光二极管芯片的一侧。第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术揭露一种。发光二极管装置包含导电支架、发光二极管芯片与第一导电层。导电支架具有第一导电部、第二导电部与绝缘部。绝缘部用以间隔第一导电部与第二导电部。发光二极管芯片设置于第二导电部上，且发光二极管芯片的表面具有第一电极与第二电极。第一导电层形成于第一导电部上且位于发光二极管芯片的一侧。第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。【专利说明】
本专利技术是有关一种。
技术介绍
—般而言,发光二极管模块包含发光芯片、底座与透镜。透镜覆盖于发光芯片上，使发光芯片发出的光线较为均匀。举例来说，发光芯片可以为蓝光的发光芯片，透镜可以具有黄色荧光粉。当蓝光经过黄色荧光粉后，发光二极管模块便可发出白光的光线。此外，发光芯片设置于底座上，且发光芯片的表面具有正极接点与负极接点。底座紧邻发光芯片旁的表面具有正极导电层与负极导电层。发光芯片的正极接点与负极接点需分别通过传统型式的导线连接底座的正极导电层与负极导电层。其中，传统型式的导线常通过打线(wirebonding)的方式固定于发光芯片与底座之间。如此一来，发光二极管模块至少会形成四个焊接的接点，不仅导线的成本高，且因接点数量多可能产生假焊的情况，使得发光芯片可能未电性连接于底座，造成发光二极管模块的可靠度降低。
技术实现思路
本专利技术的一技术方案为提供一种发光二极管装置。根据本专利技术一实施方式,一种发光二极管装置包含导电支架、发光二极管芯片与第一导电层。导电支架具有第一导电部、第二导电部与绝缘部。绝缘部用以间隔第一导电部与第二导电部。发光二极管芯片设置于第二导电部上，且发光二极管芯片的表面具有第一电极与第二电极。第一导电层形成于第一导电部上且位于发光二极管芯片的一侧。第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。在本专利技术一实施方式中，上述第一导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。在本专利技术一实施方式中，上述发光二极管芯片的表面是包含上表面与下表面。在本专利技术一实施方式中，上述第一电极与第二电极分别位于发光二极管芯片的上表面与下表面上，且第二电极接触第二导电部。在本专利技术一实施方式中，上述第一电极与第二电极位于发光二极管芯片的上表面上，且发光二极管装置还包含第二导电层。第二导电层形成于第二导电部上且位于发光二极管芯片的另一侧。第二导电层的第二边缘被加工形成可弯折的第二导电延伸脚，且第二导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第二电极。在本专利技术一实施方式中，上述第二导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。在本专利技术一实施方式中，上述发光二极管装置还包含反射杯与封装胶。反射杯容置导电支架与发光二极管芯片。封装胶位于反射杯中，用以覆盖发光二极管芯片。在本专利技术一实施方式中，上述发光二极管装置还包含透镜覆盖发光二极管芯片。本专利技术的一技术方案为一种发光二极管装置的制造方法。根据本专利技术一实施方式，一种发光二极管装置的制造方法包含:(a)提供导电支架；(b)形成第一导电层于导电支架的第一导电部上；(C)铳削或切削第一导电层，使第一导电层的第一边缘形成可弯折的第一导电延伸脚；(d)设置发光二极管芯片于导电支架的第二导电部上；以及(e)连接第一导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第一电极。在本专利技术一实施方式中，上述步骤(C)中的铳削第一导电层是移动导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使第一导电层接触刀具。在本专利技术一实施方式中，上述步骤(C)中的切削第一导电层是移动刀具至紧邻导电支架的位置，使刀具接触第一导电层。在本专利技术一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含浸泡第一导电层与刀具于一硅油中。在本专利技术一实施方式中，上述步骤(e)包含热压或超音波振动于第一导电延伸脚，使第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。在本专利技术一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含:(f)形成第二导电层于导电支架的第二导电部上；(g)铳削或切削第二导电层，使第二导电层的第二边缘形成可弯折的第二导电延伸脚；以及(h)连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极。在本专利技术一实施方式中，上述步骤(g)中的铳削第二导电层是移动导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使第二导电层接触刀具。在本专利技术一实施方式中，上述步骤(g)中的切削第二导电层是移动一刀具至紧邻导电支架的位置，使刀具接触第二导电层。在本专利技术一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含浸泡第二导电层与刀具于一硅油中。在本专利技术一实施方式中，上述步骤(h)包含热压或超音波振动于第二导电延伸脚，使第二导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第二电极。在本专利技术一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含容置导电支架与发光二极管芯片于反射杯中，以及填充一封装胶于反射杯中，使发光二极管芯片被封装胶覆盖。在本专利技术一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含设置透镜于导电支架上，使发光二极管芯片被透镜覆盖。在本专利技术上述实施方式中，由于发光二极管装置的第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极，因此发光二极管装置不需设置额外传统型式的导线来连接第一导电层与发光二极管芯片，因此可节省导线的成本。此外，由于第一导电层与发光二极管芯片之间不具传统型式的导线，因此发光二极管装置可减少焊接导线的接点而降低假焊发生的机率。如此一来，发光二极管装置的合格率与可靠度得以提升。【专利附图】【附图说明】图1绘示根据本专利技术一实施方式的发光二极管装置的剖面图；图2绘示根据本专利技术一实施方式的发光二极管装置的剖面图；图3绘示根据本专利技术一实施方式的发光二极管装置的剖面图；图4绘示根据本专利技术一实施方式的发光二极管装置的剖面图；图5绘示根据本专利技术一实施方式的发光二极管装置的制造方法的流程图；图6绘示导电支架往刀具移动时的示意图；图7绘示图6的刀具铳削第一导电层时的示意图；图8绘示图7的第二导电部设置发光二极管芯片后的示意图；图9绘示图6的刀具铳削第一导电层与第二导电层后的示意图；图10绘示图9的第二导电部设置发光二极管芯片后的示意图；图11绘示刀具于硅油中铳削第一导电层时的示意图；图12绘示刀具往第一导电层移动时的示意图；图13绘示图12的刀 具切削第一导电层时的示意图。【主要元件符号说明】100a:发光二极管装置IOOb:发光二极管装置IOOc:发光二极管装置IOOd:发光二极管装置110:导电支架112:第一导电部114:第二导电部116:绝缘部120:发光二极管芯片121:上表面122:第一电极123:下表面124:第二电极130:第一导电层131:第一边缘132:第一导电延伸脚133:—端140:第二导电层141:第二边缘142:第二导电延伸脚143: 一端150:反射杯151:开160:封装胶170:透镜180:刀具190:油槽192:硅油200:刀具Dl:方向D2:方向D3:方向S1:步骤S2:步骤S3:步骤S4:步骤S5:步骤【具体实施方式】以下将以附图揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管装置，其特征在于，包含：一导电支架，具有一第一导电部、一第二导电部与一绝缘部用以间隔该第一导电部与该第二导电部；一发光二极管芯片，设置于该第二导电部上，且该发光二极管芯片的表面具有一第一电极与一第二电极；以及一第一导电层，形成于该第一导电部上且位于该发光二极管芯片的一侧，其中该第一导电层的一第一边缘被加工形成可弯折的一第一导电延伸脚，且该第一导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第一电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林建志，李育群，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71