【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构和半导体衬底表面的氧化硅层；去除半导体衬底表面的氧化硅层；在去除半导体衬底表面的氧化硅层之后，形成覆盖所述半导体衬底、栅极结构和氧化硅层表面的氮化硅层；去除半导体衬底表面和栅极结构顶部的氮化硅层，形成第一氮化硅侧墙；在形成第一氮化硅侧墙之后，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成应力层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何有丰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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