温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；形成覆盖所述栅极结构和半导体衬底表面的氧化硅层；去除半导体衬底表面的氧化硅层；在去除半导体衬底表面的氧化硅层之后，形成覆盖所述半导体衬底、栅极结构和氧化硅层表面的氮...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。