【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体地说，实现优良附着力、高剥离强度、低吸湿力、低热膨胀系数(CTE)，并同时显着改善介电常数、介电损耗等电性能的环氧化合物及其制造方法。
技术介绍
近来半导体产业随着高密度化、超高速化，通过异种技术及组件的融合向着极小型化的趋势发展。此种融复合技术的核心技术是将异种材料及组件放入一个装置的封装技术，为此必须开发具有Low CTE (低热膨胀系数)、及Low Dk(低介电常数)及耐热性性能的核心材料。次世代IC substrate, PCB, Flexible display substrate 等为了高集成化、高微细化、高功能化，要在短时间处理许多容量，为此通常增加半导体元件的集成度，这是指元件的线宽和之间的宽度缩小，因此晶体管转换速度增加，可以实现元件的高速化。最近提出缩小元件线宽的多种方法，但在形成微细电路图案时，通过现有的铜蚀刻形成的图案，在缩小电路图案的间隔方面总有限制。因此利用化学方法形成的Copper电路图案可以实现到 20/20 μ m以下，但由于形成图案的表面粗度尚未形成，具有附着力明显降低的缺点。即，高密度晶片的速度取决于高密度晶片的线条间的狭小线宽比转换速度大，此时需要电性能Low Dk(低介电常数)、Low Df (低介电损耗)及附着力优秀的高分子物质。低介电常数材料的开发相比于线宽的减小速度，其开发速度较慢，其中有机物质有环氧树脂、特氟纶(PTFE)、氰酸盐树脂、聚苯醚(PPE)或热硬化性PPE等，其中特氟纶材料是有机物质中介电性能最优秀的已知材料。可是，对具有低介电常数性能的有机材料特氟纶来讲，在IC...
【技术保护点】
一种环氧化合物，其特征是包含：分子中具有2个以上环氧基的环氧化合物；和下面化学式1表示的化合物；的反应生成物，化学式1表示的化合物用酯基遮盖(masking)环氧化合物的环氧基开环所生成的羟基；[化学式1]其中，A是B是分别独立的中任何一个，X是分别独立的及C1?10的烷基中任何一个，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，R12，R13，R14及R15是分别独立的H，OH或C1～10的烷基，n是分别独立的0～2的整数，m是分别独立的0～4的整数。FDA0000368854680000011.jpg,FDA0000368854680000012.jpg,FDA0000368854680000013.jpg,FDA0000368854680000014.jpg,FDA0000368854680000021.jpg
【技术特征摘要】
2012.08.21 KR 10-2012-00910241.一种环氧化合物，其特征是包含:分子中具有2个以上环氧基的环氧化合物；和下面化学式I表示的化合物；的反应生成物， 化学式I表示的化合物用酯基遮盖(masking)环氧化合物的环氧基开环所生成的羟基； [化学式I] 2.根据权利要求1所述的环氧化合物，其特征是所述环氧化合物包含由酚醛型环氧树月旨、双酚型环氧树脂、联苯型环氧树脂、苯并吡喃型环氧树脂及缩合多环脂肪族环氧树脂所构成的群中选择的任何一个以上。3.一种环氧树脂，其特征是包含下面化学式2~6表示的化合物中任何一个以上； [化学式2] 4.一种环氧化合物的制造方法，其特征是分子中具有2个以上环氧基的环氧化合物和下面化学式I表示的化合物在催化剂的存在下进行反应，所述反应是化学式I表示的化合物的酯基取代环氧化合物的环氧基开环所生成的羟基; [化学式I] 5.根据权利要求4所述的环氧化合物的制造方法，其特征是对所述环氧化合物100重量份添加所述化学式I表示的化合物5:50重量份。6.根据权利要求4所述的环氧化合物的制造方法，其特征是所述催化剂包含: 含有在 2-甲基咪唑(...
【专利技术属性】
技术研发人员：李垠龙，朴龙义，李智爱，黄载锡，赵相弼，李贵恒，白美贞，洪晟镐，崔湖京，抑利烈，
申请(专利权)人：新亚TC，
类型：发明
国别省市：
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