一种制备钽酸锂晶片的方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种制备钽酸锂晶片的方法，包括：获取钽酸锂基片；清洗钽酸锂基片；将钽酸锂基片置于腐蚀溶液中，并且在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，使钽酸锂基片在腐蚀溶液中腐蚀第一时间，获得钽酸锂晶片；清洗并干燥钽酸锂晶片。本发明专利技术的实施例的方法中，对钽酸锂基片进行腐蚀时，在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，通过对该加热位置的控制，实现了对钽酸锂基片表面的温度分布的控制，进而控制了腐蚀速率，从而可以控制腐蚀后的表面粗糙度和均匀性。该方法制备的钽酸锂晶片的表面均匀性好，表面粗糙度小，并且背侵、背花等问题得到改善。

【技术实现步骤摘要】
—种制备钽酸锂晶片的方法
本专利技术涉及半导体材料
，尤其是涉及。
技术介绍
超薄钽酸锂晶片通常用作红外热释电探测器的敏感层，因此，必须减薄钽酸锂响应单元的厚度。通常的钽酸锂晶片原料的厚度远厚于红外热释电探测器件要求的厚度，所以一直以来减薄钽酸锂响应单元厚度都是热释电探测器的研究重点。集成电路技术的发展也对晶片材料提出了更高的要求，获得良好表面质量的钽酸锂晶片材料，对热释电器件的性能有更好的帮助。钽酸锂晶片的加工过程一般包括切割、磨边、研磨、抛光、清洗等加工工序，其中抛光过程的作用在于进一步提高晶体表面的平整度和粗糙度，以满足器件的要求。钽酸锂晶片在研磨和抛光之后可以进一步采用化学溶液进行化学腐蚀，以提高晶体表面的平整度和粗糙度。现有技术，因为研磨抛光轨迹的不稳定性，导致钽酸锂晶片呈现中间厚两边薄的厚度分布，化学腐蚀也不能很好的控制其表面腐蚀速率的大小分布，获得的晶片均匀性较差，容易产生背侵、背花等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是提供制备钽酸锂晶片的方法，该方法制备的钽酸锂晶片的表面均匀性好，表面粗糙度小，并且背侵、背花等问题得到改善。本专利技术公开的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备钽酸锂晶片的方法，其特征在于，包括：获取钽酸锂基片；清洗所述钽酸锂基片；将所述钽酸锂基片置于腐蚀溶液中，并且在所述钽酸锂基片的中心位置处加热所述腐蚀溶液，使所述钽酸锂基片在所述腐蚀溶液中腐蚀第一时间，获得钽酸锂晶片；清洗并干燥所述钽酸锂晶片。

【技术特征摘要】
1.一种制备钽酸锂晶片的方法，其特征在于，包括: 获取钽酸锂基片； 清洗所述钽酸锂基片； 将所述钽酸锂基片置于腐蚀溶液中，并且在所述钽酸锂基片的中心位置处加热所述腐蚀溶液，使所述钽酸锂基片在所述腐蚀溶液中腐蚀第一时间，获得钽酸锂晶片； 清洗并干燥所述钽酸锂晶片。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗所述钽酸锂基片的步骤包括: 用丙酮水溶液在第一清洗温度下超声清洗所述钽酸锂基片第二时间； 用无水乙醇水溶液在第二清洗温度下超声清洗所述钽酸锂基片第三时间。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于:所述第一清洗温度为80°C，所述第二清洗温度为80°C，所述第二时间为20至30分钟，所述第三时间为20至30分钟。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于:所述丙...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子骥，梁志清，郑兴，黎威志，于云飞，谢佳林，李宁亮，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：