【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2012年8月8日提交的韩国专利申请号10-2012-0086805的优先权，该申请的主题通过引用被合并在此。
本专利技术构思涉及半导体存储器件及其编程方法。更具体来说，本专利技术构思涉及合并有多层级非易失性存储单元的半导体存储器件及其编程方法。在某些实施例中，本专利技术构思涉及具有非易失性存储单元的三维(3D)存储单元阵列的半导体存储器件及其编程方法。
技术介绍
半导体存储器件根据其操作性质总体上可以分类为易失性或非易失性。易失性存储器件在没有外加电力的情况下会丢失所存储的数据，而非易失性存储器件即使在没有外加电力的情况下也能够保持所存储的数据。存在不同种类的非易失性存储器件，其中例如包括掩模只读存储器(MR0M)、可编程只读存储器(PR0M)、可擦写可编程只读存储器(EPROM)以及电可擦写可编程只读存储器(EEPROM) ο闪速存储器是一种特定类型的EEPR0M，其已被采用在多种数字系统中，比如计算机、蜂窝电话、PDA、数码相机、摄录一体机、录音机、MP3播放器、手持式PC、游戏、传真机、扫描仪、打印机等等。促使在当今的电...
【技术保护点】
一种用于非易失性存储器的编程方法，所述非易失性存储器包括设置在物理页中的多层级存储单元的存储单元阵列，其中每一个多层级存储单元存储多达N个比特的数据，N是大于2的整数，所述方法包括步骤：接收第一数据并且根据物理页的单比特页容量对所述第一数据进行分割从而生成已分割第一数据；将所述已分割第一数据作为单比特数据编程到多个物理页；以及接收第二数据并且将所述第二数据作为多比特数据编程到所述多个物理页当中的所选物理页，其中所述第二数据被同时编程到所选物理页的多层级存储单元。
【技术特征摘要】
2012.08.08 KR 10-2012-0086805;2012.12.07 US 13/701.一种用于非易失性存储器的编程方法，所述非易失性存储器包括设置在物理页中的多层级存储单元的存储单元阵列，其中每一个多层级存储单元存储多达N个比特的数据，N是大于2的整数，所述方法包括步骤: 接收第一数据并且根据物理页的单比特页容量对所述第一数据进行分割从而生成已分割第一数据； 将所述已分割第一数据作为单比特数据编程到多个物理页；以及 接收第二数据并且将所述第二数据作为多比特数据编程到所述多个物理页当中的所选物理页，其中所述第二数据被同时编程到所选物理页的多层级存储单元。2.权利要求1的非易失性存储器的编程方法，其中，N是3，并且所述已分割第一数据作为最低有效位数据被存储在所述多个物理页当中的第一逻辑页内。3.权利要求2的非易失性存储器的编程方法，其中，同时将所述第二数据作为中心有效位数据编程到所选物理页的第二逻辑页并且作为最高有效位数据编程到所选物理页的第三逻辑页。4.权利要求1的非易失性存储器的编程方法，其中，所述存储单元阵列是三维存储单元阵列，其包括: 多个单元串，每一个单元串在第一方向上延伸； 在第二方向上延伸的多条字线；以及 在第三方向上延伸的多条位线。5.权利要求4的非易失性存储器的编程方法，其中，所述多个物理页当中的每一个物理页的多层级存储单元共同由所述多条字线的其中之一控制，并且被共同布置在所述三维存储单元阵列内的相同高度。6.权利要求4的非易失性存储器的编程方法，其中，每一个单元串连接到所述多条位线的其中之一，并且包括串联设置在串选择晶体管与接地选择晶体管之间的多个多层级存储单元， 所述多个多层级存储单元当中的每一个分别由所述多条字线的其中之一控制，每一个串选择晶体管由串选择线控制，每一个接地选择晶体管由接地选择线控制。7.权利要求6的非易失性存储器的编程方法，其中，所述多个物理页当中的每一个由一条串选择线选择。8.权利要求4的非易失性存储器的编程方法，其中，每一个多层级存储单元是电荷捕获闪速存储单元。9.权利要求1的非易失性存储器的编程方法，其中，在将所述第二数据作为多比特数据编程到所选物理页时使用递增步长脉冲编程。10.权利要求1的非易失性存储器的编程方法，其中，在把所述已分割第一数据编程到所选物理页之后并且在对所选物理页执行中间擦写操作之前，把第二数据作为多比特数据编程到所选物理页。11.一种用于包括了非易失性存储器的存储器系统的数据管理方法，所述非易失性存储器具有设置在物理页中的多层级存储单元的存储单元阵列，其中每一个多层级存储单元存储多达N个比特的数据，每一个物理页由单比特页容量lbPC、等于(NXlbPC)的总比特页容量TbPC和等于(TbPC-1bPC)的剩余比特页容量RbPC来定义，所述方法包括步骤:通过以下步骤执行存储X比特的第一数据的第一编程操作: 确定把所述第一数据作为单比特数据存储在第一所选物理页中所必需的第一所选物理页的数目Q，其中 12.权利要求11的存储器系统的数据管理方法，其中，所有第二所选物理页在所述第二编程操作期间被一起编程。13.权利要求11的存储器系统的数据管理方法，其中，R大于1，并且所述第二所选物理页当中的每一个在所述第二编程操作期间被顺序地编程。14.权利要求11的存储器系统的数据管理方法，其中，N等于3，并且所述已分割第一数据作为最低有效位数据被存储在所述第一所选物理页的第一逻辑页中。15.权利要求14的存储器系统的数据管理方法，其中，对于所述第二所选物理页当中的每一个，同时将所述已划分第二数据作为中心有效位数据编程到第二逻辑页并且作为最高有效位数据编程到第三逻辑页。16.权利要求11的存储器系统的数据管理方法，其中，所述第一编程操作和所述第二编程操作的至少其中之一使用递增步长脉冲编程。17.权利要求11的存储器系统的数据管理方法，其中，所述存储器系统包括存储器控制器，所述存储器控制器在所述第一编程操作期间接收并分割所述第一数据，并且在所述第二编程操作期间接收并划分所述第二数据。18.权利要求11的存储器系统的数据管理方法，其中，所述存储单元阵列是三维存储单元阵列。19.权利要求18的存储器系统的数据管理方法，其中，多个物理页的多层级存储单元共同由穿越三维存储单元阵列的多条字线的其中之一控制，并且被共同布置在三维存储单元阵列内的相同高度。20.权利要求19的存储器系统的数据管理方法，其中，利用穿越三维存储单元阵列的串选择线从多个物理页当中选择每一个物理页。21.一种用于非易失性存储器的数据管理方法，所述非易失性存储器包括设置在物理页中的多层级存储单元的存储单元阵列，所述方法包括步骤: 在第一编程操作期间，接收第一数据并且根据物理页的单比特页容量对所述第一数据进行分割从而生成已分割第一数据，并且把所述已分割第一数据作为单比特数据编程到所选物理页中的多层级存储单元的仅仅第一逻辑页；以及 在所述第一编程操作之后的第二编程操作期间，接收第二数据并且把所述第二数据作为多比特数据同时编程到至少一个所选物理页中的多层级存储单元的第二逻辑页和第三逻辑页。22.权利要求21的非易失性存储器的数据管理方法，其中，在第一编程操作期间，利用表不擦写状态的擦写阈值电压分布和表不第一已编程状态的第一阈值电压分布的其...
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