温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了非易失性存储器件和编程方法，非易失性存储器包括设置在物理页中的多层级存储单元的存储单元阵列。一种用于非易失性存储器的编程方法包括：接收第一数据并且根据物理页的单比特页容量对第一数据进行分割从而生成已分割第一数据；将已分割第一数据...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。