刻蚀速率监控方法及设备技术

本发明专利技术实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备，涉及液晶显示领域，能够通过采集到的光强分布，以及基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层变化判断刻蚀终点以及刻蚀的均一性。该方法包括：获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；获取所述被刻蚀膜层的厚度；根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备，涉及液晶显示领域，能够通过采集到的光强分布，以及基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层变化判断刻蚀终点以及刻蚀的均一性。该方法包括：获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；获取所述被刻蚀膜层的厚度；根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。【专利说明】刻蚀速率监控方法及设备
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及刻蚀速率监控方法及设备。
技术介绍
在半导体以及液晶显示领域，通过成膜工艺将金属或非金属形成在玻璃基板上。在通过曝光和显影使光刻胶形成图案，之后通过刻蚀工艺将图形刻蚀出来，在一定时间内完成特定膜层厚度的刻蚀。为了控制刻蚀膜层的厚度和均一性，需要使用一些仪器确认膜层的刻蚀速率和均一性，然后计算出完成特定膜层膜厚刻蚀所需要的刻蚀时间。在实际量产时，为了监控工艺条件的稳定性，也需要对产品的刻蚀完成程度以及其均一性进行一定频率的抽样测试。而抽样测试验证只能对少量产品进行评价，当产品出现异常时，也无法即时地对当前进行产品进行精确补救控制。由于同一刻蚀工艺对于不同材料的层具有不同的刻蚀速率，不同的刻蚀速率会形成不同的光强变化，因此目前应用的刻蚀控制系统能够通过采集到的光强变化规律，判断出可能的刻蚀终点。但是对于玻璃基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层变化以及均一性却无法判断。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备，解决了膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层的变化以及刻蚀均一性无法判断的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术的实施例提供一种监控设备，包括:获取模块，用于获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；输入模块，用于获取所述被刻蚀膜层的厚度；计算模块，用于根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；判断模块，用于若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。所述获取模块，还用于按照基板在下部电极上放置的位置将所述基板划分为N个等面积的小区域，其中，N为大于I的整数。所述获取模块包括采集模块和处理模块；其中，所述采集模块，用于接收真空腔中对应于光强采集器的各个感测扇区内的等离子体发出的光；所述处理模块，用于根据所述真空腔中所述各个感测扇区内的等离子体发出的光，计算所述各个预设区域的光强分布。所述采集模块，具体用于获取多个光强采集器中的每一个在各个方向上获得的所述真空腔中等离子体发出的光的光强，以及与所述光强对应的发出光的各个预设区域；所述处理模块，具体用于根据各个方向所述光强与所述发出光的区域的对应关系构建方程式组，计算该方程式组以得到所述各个预设区域的光强，其中，所述方程式组的个数大于等于N。所述获取模块，具体用于获取多个不同时刻的所述各个预设区域的光强分布。所述计算模块，具体用于选定两个刻蚀时间点，刻蚀中间时间点Timel和刻蚀终点时间Time2，其中，Time2大于Timel ;设定O至Ij Timel之间的时间段为第一子时间段，Timel至Time2的之间的时间段为第二子时间段，并通过将所述被刻蚀膜层的厚度除以所述第一子时间段的二分之一与所述第二子时间段之和，计算所述各个预设区域的刻蚀速率。所述判断模块，具体用于分别比较各预设区域刻蚀终点时间的大小，确定刻蚀终点时间最大值，并获得所述刻蚀终点时间最大值所对应的刻蚀速率，所述刻蚀终点时间最大值对应于刻蚀最慢点，即刻蚀速率最小值；当所述各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于所述刻蚀终点时间最大值所对应的刻蚀速率时，则确定刻蚀终止。本专利技术的实施例提供一种刻蚀速率监控方法，包括:获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；获取所述被刻蚀膜层的厚度；根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。所述获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布之前，还包括:按照基板在下部电极上放置的位置将所述基板划分为N个等面积的小区域，其中，N为大于I的整数。所述获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布，包括:由光强采集器接收真空腔中对应于所述光强采集器的各个感测扇区内的等离子体发出的光；根据所述真空腔中所述各个感测扇区内的等离子体发出的光，计算所述各个预设区域的光强分布。所述根据所述真空腔中等离子体发出的光，计算所述各个预设区域的光强分布，包括:获取多个光强采集器中的每一个在各个方向上获得的所述真空腔中等离子体发出的光的光强，以及与所述光强对应的发出光的各个预设区域；根据各个方向所述光强与所述发出光的区域的对应关系构建方程式组，计算该方程式组以得到所述各个预设区域的光强，其中，所述方程式组的个数大于等于N。所述根据所述真空腔中等离子体发出的光，计算所述各个预设区域的光强分布，包括:获取多个不同时刻的所述各个预设区域的光强分布。根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；包括:选定两个刻蚀时间点，刻蚀中间时间点Timel和刻蚀终点时间Time2，其中，Time2大于Timel ;设定O到Timel之间的时间段为第一子时间段，Timel至Time2的之间的时间段为第二子时间段；通过将所述被刻蚀膜层的厚度除以所述第一子时间段的二分之一与所述第二子时间段之和，计算所述各个预设区域的刻蚀速率。所述若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止，包括:分别比较各预设区域刻蚀终点时间的大小，确定刻蚀终点时间最大值，并获得所述刻蚀终点时间最大值所对应的刻蚀速率，所述刻蚀终点时间最大值对应于刻蚀最慢点，即刻蚀速率最小值；当所述各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于所述刻蚀终点时间最大值所对应的刻蚀速率时，则确定刻蚀终止。 本专利技术实施例提供的刻蚀速率监控方法及设备，通过获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布，以及获取所述被刻蚀膜层的厚度，并根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率，若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。本方案能够通过采集到的光强分布，以及基板上膜层各个位置上的刻蚀速率、刻蚀膜层的变化判断刻蚀终点以及刻蚀的均一性。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例的监控设备示意图一；图2为本专利技术实施例的监控设备示意图二；图3为本专利技术实施例的基板划分示意图；图4为本专利技术实施例的光强随时间变化示意图；图5为本专利技术实施例的多个方向进行光强采集示意图；图6为本专利技术实施例的刻蚀速率监控方法流程示意图一；图7为本专利技术实施例的刻蚀速率监控方法流程示意图二 ；图8为本专利技术实施例的单镜头光强采集器结构示意图；图9为本专利技术实施例的多镜头光强采集器结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监控设备，其特征在于，包括：获取模块，用于获取被刻蚀膜层上各个预设区域的光强分布；输入模块，用于获取所述被刻蚀膜层的厚度；计算模块，用于根据所述被刻蚀膜层的厚度以及各个预设区域的光强分布计算出刻蚀速率；判断模块，用于若所述与各个预设区域的光强对应的刻蚀速率均小于预设值，则确定刻蚀终止。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁欣，张亮，刘祖宏，侯智，吴代吾，刘建辉，陈甫，刘轩，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：