【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种，用于监测第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度，包括如下步骤：在不同枚CMOS晶圆的第一区域分别定义至少一测试单元；在各测试单元上分别形成导电层、介电层以及多个连接孔阻断缺陷；第一、第二电子束扫描仪分别以正负载模式扫描不同枚CMOS晶圆上的测试单元，以检测阻断缺陷；根据对阻断缺陷的检测结果计算第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度；更换CMOS晶圆，重复进行上述步骤。该方法使得电子束扫描仪间的匹配度更贴近真实情况，其实施简单便利、有利于在半导体行业领域内推广。【专利说明】
本专利技术涉及半导体加工制造领域，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸的按比例缩小，以及半导体工艺制造复杂性的逐步提高，电子束扫描仪(E-beam)在半导体生产中得到越来越多的应用，比如55纳米及以下技术节点的钨连接孔和铜连接孔的蚀刻不足缺陷，以及位错漏电缺陷和镍管道漏电缺陷等均需要利用E-beam进行检测，而且在目前的工艺中是无可替代的。半导体晶圆生成线上往往装配有多台同型号的电子束扫描仪，为了使得不同工位...
【技术保护点】
一种监控电子束扫描仪间匹配度的方法，用于监测第一电子束扫描仪与第二电子束扫描仪之间的匹配度，包括如下步骤：a)、在不同枚CMOS晶圆的第一区域分别定义至少一测试单元；其中，所述CMOS晶圆包括多个芯片单元，各所述芯片单元上垂直分布有导电层与介电层，所述介电层中贯通形成有多个连接孔，所述连接孔中填充有金属以越过所述介电层向下连接所述导电层；b)、在各所述测试单元上分别形成所述导电层、介电层以及多个连接孔阻断缺陷；c)、所述第一、第二电子束扫描仪分别以正负载模式扫描所述不同枚CMOS晶圆上的测试单元，以检测所述阻断缺陷；d)、根据对所述阻断缺陷的检测结果计算所述第一电子束扫描仪...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范荣伟，刘飞珏，龙吟，倪棋梁，陈宏璘，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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