晶圆缺陷分析系统技术方案

本发明专利技术提供一种晶圆缺陷分析系统，包括：晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，缺陷位置获取单元用于对所述位置信息进行排序，缺陷位置匹配单元用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并标记匹配组；缺陷组分析单元用获得缺陷组的位置信息；缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，缺陷标记单元用于将存在关联性的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。本发明专利技术能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查，节约人力和时间。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种晶圆缺陷分析系统，包括：晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，缺陷位置获取单元用于对所述位置信息进行排序，缺陷位置匹配单元用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并标记匹配组；缺陷组分析单元用获得缺陷组的位置信息；缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，缺陷标记单元用于将存在关联性的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。本专利技术能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查，节约人力和时间。【专利说明】晶圆缺陷分析系统
本专利技术涉及半导体技术制造
，特别涉及晶圆缺陷分析系统。
技术介绍
目前，半导体制造业由于某些工艺机台的工艺时间很短，一旦出现由于机台异常造成工艺偏差的情况，很容易造成大量晶圆出现特定相同位置的缺陷，即连续通过此工艺机台的晶圆都会在同一位置产生缺陷。比如光刻机的单点失焦缺陷、晶圆支撑柱偏差造成的色差缺陷等等。这些工艺偏差机台往往在初期产生的缺陷晶圆上不易被发现，在持续一段时间后，持续影响大量晶圆，直到缺陷数量和影响范围慢慢变大才会被发现。现有技术通常是派遣工程师每隔一段时间对扫描过的全部晶圆进行一次检查，找出其中可能存在的特定相同位置缺陷的情况，由于是人工判断和人工操作，一是费时费力，二是容易出错。因此，有必要提供一种晶圆缺陷分析系统，对晶圆缺陷进行分析。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查。为解决上述问题，本专利技术一种晶圆缺陷分析系统，包括:晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆；缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标；缺陷位置匹配单元，用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组；所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减，获得横坐标差值；以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减，获得纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组；缺陷组分析单元，用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，所述缺陷组的位置信息包括:缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值；缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括:获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性；缺陷标记单元，用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。可选地，所述设定时间为0.5-5小时。可选地，所述位置信息的坐标系的零点为晶圆的圆心。可选地，所述坐标容忍值为2-8微米。可选地，所述容许关联值为2-8微米。可选地，所述缺陷关联组分析单元还用于在一个晶圆的一个缺陷与另一个晶圆的多个缺陷都能够形成匹配组时，基于筛选原则从所述另一个晶圆的多个缺陷中选择一个缺陷与所述一个晶圆的一个缺陷形成匹配组。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点:提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查，节约人力和时间。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的晶圆缺陷分析系统结构示意图。【具体实施方式】本专利技术解决的问题是提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查。为解决上述问题，本专利技术一种晶圆缺陷分析系统，包括:晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆；缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标；缺陷位置匹配单元，用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组；所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减，获得横坐标差值；以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减，获得纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组；缺陷组分析单元，用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，所述缺陷组的位置信息包括:缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值；缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括:获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性；缺陷标记单元，用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。下面结合具体实施例对本专利技术的技术方案进行详细的说明。为了更好地说明本专利技术的技术方案，请参考图1所示的本专利技术的晶圆缺陷分析系统结构示意图。作为一个实施例，晶圆缺陷扫描库10中存储了设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆。所述晶圆扫描机台为现有的晶圆扫描机台，其可以对晶圆表面进行缺陷扫描，并且获得缺陷扫描图。作为一个实施例，所述晶圆缺陷扫描图中的设定时间为0.5-5小时，例如所述设定时间可以为0.5小时、I小时、2小时、3小时、4小时甚至5小时，本实施例中，所述设定时间为I小时。作为一个实施例，所述晶圆扫描机台扫描的晶圆包括:第一批次的I号晶圆、第二批次的I号晶圆，第三批次的3号和4号晶圆，当然，在其他的实施例中，所述晶圆晶圆扫描机台扫描的晶圆可以为更多批次以及每一批次内可以有更多的晶圆。缺陷位置获取单元20用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标。本实施例中，所述位置信息的坐标系的零点为晶圆的圆心。当然，在其他的实施例中，所述位置信息的坐标系的零点也可以为晶圆上任意一点。作为一个实施例，所述位置信息排序的方法为:先按本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆缺陷分析系统，其特征在于，包括：晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆；缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标；缺陷位置匹配单元，用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组；所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减，获得横坐标差值；以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减，获得纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组；缺陷组分析单元，用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，所述缺陷组的位置信息包括：缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值；缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括：获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性；缺陷标记单元，用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图高亮标出。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭贤权，许向辉，陈超，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：