【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在半导体技术中铜的互连方法，具体的涉及。
技术介绍
铜的互连采用双大马士革工艺，首先在基板上淀积一定厚度的低介电常数介质材料，并在此材料上刻出通孔和沟槽等，然后在通孔和沟槽中填充铜金属，从而形成金属互连线。铜的填充工艺是由阻挡层和晶籽层的制备与铜的电镀填充共同完成的，而阻挡层和晶籽层的形成是其重要环节，如果淀积不好，会因应力过大而导致薄膜开裂，使器件失效。现有工艺采用去气(degas)，阻挡层淀积(TaN)，晶籽层淀积(Cu)，电镀铜等流程形成，但是其在沟槽底部拐角出常因应力大而导致薄膜开裂，迫切需要解决。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种防止沟槽底部拐角薄膜开裂的铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率；步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。本专利技术的有益效果是:在淀积铜阻挡层的过程中分两步进行，第一铜阻挡层的淀积速率小于第二铜阻挡层的淀积速率，此种方法可以对薄膜进行有效的应力释放，避免薄膜开裂，从而提高了产品的合格率。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述第一铜阻挡层的淀积厚度为50?100埃。进一步，所述淀积第一铜阻挡层的条件为，上射频功...
【技术保护点】
一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率；步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。
【技术特征摘要】
1.一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，其特征在于:包括以下步骤， 步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理； 步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层； 步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的表面继续淀积第二铜阻挡层，所述第一铜阻挡层的淀积速率小于所述第二铜阻挡层的淀积速率； 步骤四，淀积铜晶籽层，在上述步骤三中的第二阻挡层表面淀积一层铜晶籽层。2.根据权利要求1所述的一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，其特征在于:所述第一铜阻挡层的淀积厚度为50...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪齐元，黄海，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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