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本发明涉及一种铜阻挡层和铜晶籽层的形成方法，包括以下步骤，步骤一，去气，对基板上的通孔或沟槽进行去气处理；步骤二，淀积第一铜阻挡层，在基板上的通孔或沟槽中淀积一层铜阻挡层；步骤三，淀积第二铜阻挡层，在上述步骤二的基础上，在所述第一铜阻挡层的...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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