【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种能提高多晶铸锭炉半融工艺籽晶面积的多晶铸锭炉。
技术介绍
多晶铸锭领域目前被广泛应用的是底部铺小碎料的半熔工艺,此工艺是硅料在多晶铸锭炉内熔化时,使硅料从上往下逐步熔化,熔化到达底部铺底的碎料层时停止熔化进入晶体生长阶段,有了细碎硅料充当籽晶的引晶作用,定向生长的晶体晶粒大小均匀,很好的保证多晶硅片的光电装换效率。然而此种工艺技术十分依赖底部籽晶面积的保有大小,一般情况下,降低主熔温度或者提升铸锭炉热屏加大散热可以减少底部籽晶边缘的受热,可以保证籽晶合格的籽晶面积,但部分G6多晶铸锭炉侧部加热器发热功率较大,导致及时打开热屏或降低主熔温度后,底部籽晶边缘仍然被熔,籽晶面积保有不足,边缘硅块没有籽晶引晶,晶粒杂乱,位错高,所处硅片的转换效率低。
技术实现思路
本技术其目的就在于提供一种能提高多晶铸锭炉半融工艺籽晶面积的多晶铸锭炉,解决了多晶铸锭炉侧部加热器发热量过大时对底部边缘籽晶辐射热量过多、以及热量不能及时散出导致籽晶面积不足的问题,具有提高晶锭底部高温区的籽晶面积、引晶效果良好的特点。实现上述目的而采取的技术方案,包括隔热笼框架,所述隔热笼框架下端设有加高保温条,加高保温条下端设有底部石墨板,所述底部石墨板上端设有石墨立柱,石墨立柱上端设有正方形凸台结构的定向凝注块,所述定向凝注块的凸台四周的三个面上均设有定向凝注块保温板,定向凝注块上端设有石墨底板,石墨底板上端设有坩埚,坩埚外侧设有隔热笼保温板,所述坩埚上端设有C-C盖板,C-C盖板上端设有隔热笼C-C板。有益效果与现有技术相比本技术具有以下优点。1.提高晶锭底部高温区的籽晶面积。2.引晶效 ...
【技术保护点】
一种能提高多晶铸锭炉半融工艺籽晶面积的多晶铸锭炉,包括隔热笼框架(1),其特征在于,所述隔热笼框架(1)下端设有加高保温条(12),加高保温条(12)下端设有底部石墨板(10),所述底部石墨板(10)上端设有石墨立柱(9),石墨立柱(9)上端设有正方形凸台结构的定向凝注块(11),所述定向凝注块(11)的凸台四周的三个面上均设有定向凝注块保温板(8),定向凝注块(11)上端设有石墨底板(7),石墨底板(7)上端设有坩埚(5),坩埚(5)外侧设有隔热笼保温板(4),所述坩埚(5)上端设有C‑C盖板(3),C‑C盖板(3)上端设有隔热笼C‑C板(2)。
【技术特征摘要】
1.一种能提高多晶铸锭炉半融工艺籽晶面积的多晶铸锭炉,包括隔热笼框架(1),其特征在于,所述隔热笼框架(1)下端设有加高保温条(12),加高保温条(12)下端设有底部石墨板(10),所述底部石墨板(10)上端设有石墨立柱(9),石墨立柱(9)上端设有正方形凸台结构的定向凝注块(11),所述定向凝注块(11)的凸台四周的三个面上均设有定向凝注块保温板(8),定向凝注块(11)上端设有石墨底板...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨平,范磊,曹军,熊达,张泽兴,黄林,张珩琨,许桢,
申请(专利权)人:江西旭阳雷迪高科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江西;36
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