一种有利于保留A区籽晶的底部保温装置制造方法及图纸

一种有利于保留A区籽晶的底部保温装置，包括置于隔热笼底部的底部保温板，所述底部保温板包括第一底部保温板，第一底部保温板的下端设有第二底部保温板，第一保温板和第二保温板层叠的一个角部或者多个角部设有开口。本装置通过增加熔化阶段四个角或某些角的散热量，来保留A区的籽晶料，长晶阶段形成均匀细小的晶粒，提高多晶硅锭A区硅块的质量。

A bottom heat preservation device for keeping seed crystal in zone a

The utility model relates to a bottom heat preservation device which is advantageous to retain the seed crystal of zone a, including a bottom heat preservation board which is arranged at the bottom of the heat preservation cage, the bottom heat preservation board includes a first bottom heat preservation board, the lower end of the first bottom heat preservation board is provided with a second bottom heat preservation board, and an opening is arranged at one corner or multiple corners of the first heat preservation board and the second heat preservation board. By increasing the heat dissipation of four or some angles in the melting stage, the seed material in zone a can be retained in the device, and even and fine grains can be formed in the long crystal stage, so as to improve the quality of silicon block in zone a of polycrystalline silicon ingot.

【技术实现步骤摘要】
一种有利于保留A区籽晶的底部保温装置
本技术涉及一种有利于保留A区籽晶的底部保温装置。
技术介绍
晶体硅在当前的太阳能材料市场占据着绝对优势，从其晶体形态上来讲，可以划分为非晶硅、单晶硅、多晶硅三大类。非晶硅电池成本低，但转换效率也较低，且由于非晶硅的光致衰减效应，致使其性能稳定性较差；单晶硅中杂质与缺陷的含量低，转换效率高，但制备工艺复杂，对原料纯度要求高，所以生产成本也较高；多晶硅铸锭，单次投炉量大，自动化程度高，对原料纯度要求相对较低，生产成本较低，因此在市场中占有较大比例。生产铸造多晶硅锭主要分为全熔和半熔两种工艺,采用半熔工艺生产多晶硅锭时，坩埚底部平铺一层颗粒度为1-8毫米之间的籽晶料，长晶阶段籽晶诱导成核，形成均匀细小的晶粒，晶粒垂直生长得到高效多晶硅铸锭。因为坩埚四个角或其中一两个角部位温度较高，熔化阶段籽晶料经常被熔掉，不能形成均匀细小的晶粒，导致这些角（A区）部位的存在较多的晶体缺陷，严重影响电池片的效率。
技术实现思路
本技术其目的就在于提供一种有利于保留A区籽晶的底部保温装置，解决了坩埚四个角或其中一两个角部位温度较高，熔化阶段籽晶料经常被熔掉，不能形成均匀细小的晶粒，导致这些角（A区）部位的存在较多的晶体缺陷，严重影响电池片效率的问题。为实现上述目的而采取的技术方案是，一种有利于保留A区籽晶的底部保温装置，包括置于隔热笼底部的底部保温板，所述底部保温板包括第一底部保温板，第一底部保温板的下端设有第二底部保温板，第一底部保温板和第二底部保温板层叠的一个角部或者多个角部设有开口，开口内设有散热块。有益效果与现有技术相比本技术具有以下优点。本技术的优点是，通过增加熔化阶段四个角或某些角的散热量，来保留A区的籽晶料，使长晶阶段形成均匀细小的晶粒，提高多晶硅锭A区硅块的质量。附图说明以下结合附图对本技术作进一步详述。图1为本技术的结构示意图；图2为本技术位于隔热笼底部的示意图；图3为本技术实施例1中开口的结构示意图；图4为本技术实施例2中开口的结构示意图；图5为本技术实施例3中开口的结构示意图；图6为本技术实施例4中开口的结构示意图；图7为本技术实施例5中开口的结构示意图；图8为本技术实施例6中开口的结构示意图；图9为本技术实施例7中开口的结构示意图；图10为本技术实施例8中开口的结构示意图；图11为本技术实施例9中开口的结构示意图。具体实施方式下面结合附图，对本技术作进一步的说明。本装置包括置于隔热笼1底部的底部保温板2，如图1、2所示，所述底部保温板2包括第一底部保温板21，第一底部保温板21的下端设有第二底部保温板22，第一底部保温板21和第二底部保温板22层叠的一个角部或者多个角部设有开口23。所述开口23内设有散热快24。本技术的设计是，把底部保温板2的四个角或某些角的位置加工成薄层的开口23，所述的开口也可是把底部保温板2四个角或某些角的位置加工成缺口式结构；薄层和缺口的形状可以根据籽晶料熔化情况，加工成方形或者半圆形等，总体来讲就是通过增加熔化阶段四个角或某些角的散热量，来保留A区的籽晶料，长晶阶段形成均匀细小的晶粒，提高多晶硅锭A区硅块的质量。实施例1如图3所示，如果隔热笼1内仅一个角部位置温度较高，籽晶料容易熔化掉，把该角部的第二底部保温板22位置加工成一个薄层的开口23，以增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。实施例2如图4所示，如果隔热笼1内的四个角部位置温度都较高，籽晶料容易熔化掉，把四个角的第二底部保温板22位置加工成方形薄层的开口23，以增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。实施例3如图5所示，如果隔热笼1内仅一个角部位置温度较高，且籽晶料熔化掉的面积较大，把此处第一底部保温板21和第二底部保温板22层叠角部位置加工成一个较大薄层的开口23，以增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。实施例4如图6所示，如果隔热笼1内四个角部位置温度都较高，且籽晶料熔化掉的面积较大，把四个角的第一底部保温板21和第二底部保温板22层叠角部位置加工成方形薄层的开口23，以增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。实施例5如图7所示，如果隔热笼1内仅一个角部位置温度较高，籽晶料熔化掉的面积成扇形，把此处第一底部保温板21和第二底部保温板22层叠角部位置加工成一个扇形薄层的开口23，以增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。实施例6如图8所示，如果隔热笼1内四个角部位置温度都较高，籽晶料熔化掉的面积成扇形，把四个角的第一底部保温板21和第二底部保温板22层叠角部位置加工扇形薄层的开口23，以增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。实施例7如图9所示，如果隔热笼1内仅一个角部位置温度较高，籽晶料容易熔化掉，把此处第一底部保温板21和第二底部保温板22层叠角部位置加工成一个薄层的开口23，仍然无法保留住籽晶料，则直接加工成一个缺口式的开口23以增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。实施例8如图10所示，如果隔热笼1内四个角部位置温度都较高，籽晶料容易熔化掉，把此处第一底部保温板21和第二底部保温板22层叠角部位置加工成一个薄层的开口23，仍然无法保留住籽晶料，则直接加工成四个缺口式的开口23，以增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。实施例9如图11所示，如果隔热笼1内一个角部位置温度较高，籽晶料容易熔化掉，把此处第一底部保温板21和第二底部保温板22层叠角部位置加工成一个薄层的开口23，仍然无法保留住籽晶料，则在薄层上放置一个高导热系数的散热块24，增加熔化阶段的散热量，从而保留住籽晶料，保证可以形成均匀细小的晶粒，减少晶体缺陷，提高转换效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有利于保留A区籽晶的底部保温装置，包括置于隔热笼（1）底部的底部保温板（2），其特征在于，所述底部保温板（2）包括第一底部保温板（21），第一底部保温板（21）的下端设有第二底部保温板（22），第一底部保温板（21）和第二底部保温板（22）层叠的一个角部或者多个角部设有开口（23）。

【技术特征摘要】
1.一种有利于保留A区籽晶的底部保温装置，包括置于隔热笼（1）底部的底部保温板（2），其特征在于，所述底部保温板（2）包括第一底部保温板（21），第一底部保温板（21）的下端设有第二底部保温板（22），...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世龙，雷琦，张泽兴，徐云飞，刘超，王超，赖昌权，
申请(专利权)人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36