电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构及测试方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，包括第一、第二、第三灰阶度测试模块，分别包括具有第一、第二、第三灰阶度的金属连接通孔，基本涵盖了常规半导体器件中所涉及的具有不同扫描灰阶度的金属连接通孔结构，能够充分反应电子束缺陷扫描仪对待测晶圆中各类通孔结构的检测情况。本发明专利技术同时还提供了一基于上述测试结构的电子束缺陷扫描仪匹配度测试方法，以在线产品晶圆作为测试晶圆，不同的电子束缺陷扫描仪采用相同的图片抓取程式，选取不同晶圆，分别收集扫描区域第一、第二、第三灰阶度信息并进行比较，从而实现对工艺线上各电子束缺陷扫描仪匹配度的监控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及半导体工艺中的用于缺陷检测的。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展，特征尺寸持续按比例缩小，半导体工艺制造的复杂性也在不断提高。在这种发展趋势下，电子束缺陷扫描仪(E-Beam defect scan tool)在半导体工艺中的应用也越来越广泛。目前，电子束缺陷检测技术是通过电子束缺陷扫描仪以精确聚焦的电子束来探测缺陷的检测手段。其检测过程为:1)通过高压产生电子束，照射晶片，激发出二次电子、背散射电子和俄歇电子等(主要为二次电子)；2) 二次电子被探测器感情并传送至图像处理器；3)处理后形成放大图像。电子束缺陷检测技术作为捕捉晶片缺陷的检测手段之一，其分辨率极高，经常被用于检测通孔缺陷问题，特别是55nm及以下技术节点中，金属连接通孔的刻蚀不足缺陷、位错漏电缺陷、镍管道漏电缺陷等均需要通过电子束缺陷扫描仪进行检测和监控。现有技术中，由于电子束缺陷扫描仪缺陷检测速率与一般工艺设备加工效率的差异化，半导体晶圆生产厂往往需要配置多台相同型号的电子束缺陷扫描仪对晶圆产品的缺陷问题进行检测。为了使不同电子束缺陷扫描仪所得到的检测数据具有可比性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，置于在线产品晶圆上，包括一个或多个测试单元，其特征在于，所述测试单元包括第一灰阶度测试模块、第二灰阶度测试模块和第三灰阶度测试模块，所述第一、第二、第三灰阶度测试模块分别包括具有第一、第二、第三灰阶度的金属连接通孔。

【技术特征摘要】
1.一种电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，置于在线产品晶圆上，包括一个或多个测试单元，其特征在于，所述测试单元包括第一灰阶度测试模块、第二灰阶度测试模块和第三灰阶度测试模块，所述第一、第二、第三灰阶度测试模块分别包括具有第一、第二、第三灰阶度的金属连接通孔。2.根据权利要求1所述的电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，其特征在于，所述第一灰阶度测试模块包括PMOS或N掺杂阱区中器件有源区的金属连接通孔。3.根据权利要求2所述的电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，其特征在于，所述第二灰阶度测试模块包括P掺杂阱区中器件有源区或NMOS有源区的金属连接通孔。4.根据权利要求2所述的电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，其特征在于，所述第三灰阶度测试模块包括NMOS或P掺杂阱区中器件栅极的金属连接通孔。5.根据权利要求1所述的电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，其特征在于，所述测试单元位于在线产品晶圆的切割道上。6.根据权利要求1所述的电子束缺陷扫描仪匹配度测试结构，其特征在于，所述测试单元为多个，均匀或不均匀分布在所述在线产品晶圆表面。7.一种电子束缺陷扫描仪匹配度测试方法，步骤包括: ...

【专利技术属性】
技术研发人员：范荣伟，顾晓芳，龙吟，倪棋梁，陈宏璘，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：