电子束蒸发源装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电子束蒸发源装置，包括带有内腔的壳体，冷凝管、第一绝缘件、第二绝缘件、离子束流收集器、用于固定蒸发材料的蒸发棒、两个导体以及灯丝；所述壳体设有第一开口和第二开口，所述第一开口、第二开口分别与所述第一绝缘件、第二绝缘件密封连接；所述离子束流收集器与第二绝缘件连接，且离子束流收集器外部嵌套有收集器外壳，所述第二绝缘件、离子束流收集器以及收集器外壳上设有射出离子束的通孔；所述蒸发棒以及两个导体一侧位于壳体的内腔中，另一侧伸出第一绝缘件；所述灯丝与两根导体位于内腔内的一端连接；所述冷凝管与壳体紧密连接。本发明专利技术符合国际规范技术指标，简化了加工与组装工艺，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜制备装置，特别是一种电子束蒸发设备中的具有分子束外延 功能的超高真空电子束蒸发源装置。
技术介绍
薄膜技术在工业上得到广泛的应用，特别在电子材料、磁性材料与元器件工业领 域中占有极为重要的地位。因此，制备各种性能薄膜的方法最近几十年中也得到飞跃 发展。到现在为之，薄膜的制备方法己发展有物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)，包括真空蒸发镀膜法、溅射镀膜法、离子镀膜法和分子束外延生长等；化学气 相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD);氧化法；电镀法；涂敷、沉淀法等。使用 比较多的是物理气相沉积法和化学气相沉积法。最近几十年金属超薄膜的研究已成为一个非常活跃的领域。对薄膜的深入研究对 薄膜的制备提出了越来越高的要求。溅射镀膜法、氧化法、电镀法等等无法精确控制 生长速率。而电子束蒸发(典型的如MBE分子束外延)的生长方式能够精确制备0.1~10 个单层原子层厚的金属超薄膜。目前，具有分子束外延功能的超高真空电子束蒸发源只有极少数几个公司能够生 产，但其价格较为昂贵，而且整个设备的结构比较复杂，制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子束蒸发源装置，其特征在于，包括带有内腔的壳体（１），冷凝管（２）、第一绝缘件（３）、第二绝缘件（４）、离子束流收集器（５）、用于固定蒸发材料的蒸发棒（６）、两个导体（７）以及灯丝（８）；所述壳体（１）设有第一开口（９）和第二开口（１０），所述第一开口、第二开口分别与所述第一绝缘件、第二绝缘件密封连接；所述离子束流收集器（５）与第二绝缘件（４）连接，且离子束流收集器外部嵌套有收集器外壳（１１），所述第二绝缘件、离子束流收集器以及收集器外壳上设有射出离子束的通孔；所述蒸发棒以及两个导体一侧位于壳体的内腔中，另一侧伸出第一绝缘件（３）；所述灯丝（８）与两根导体（７）位于内腔内的一端连接；所述...

【技术特征摘要】
1、一种电子束蒸发源装置，其特征在于，包括带有内腔的壳体(1)，冷凝管(2)、第一绝缘件(3)、第二绝缘件(4)、离子束流收集器(5)、用于固定蒸发材料的蒸发棒(6)、两个导体(7)以及灯丝(8)；所述壳体(1)设有第一开口(9)和第二开口(10)，所述第一开口、第二开口分别与所述第一绝缘件、第二绝缘件密封连接；所述离子束流收集器(5)与第二绝缘件(4)连接，且离子束流收集器外部嵌套有收集器外壳(11)，所述第二绝缘件、离子束流收集器以及收集器外壳上设有射出离子束的通孔；所述蒸发棒以及两个导体一侧位于壳体的内腔中，另一侧伸出第一绝缘件(3)；所述灯丝(8)与两根导体(7)位于内腔内的一端连接；所述冷凝管(2)与壳体(1)紧密连接。2、 根据权利要求1所述的电子束蒸发源装置，其特征在于，所述壳体(1)上设 有与所述冷凝管形状配合的凹槽(12)，所述冷凝管(2)穿过所述第一绝缘件，置于 所述凹槽内。3、 根据权利要求1或2所述的电子束蒸发源装置，其特征在于，所述冷凝管(2) 包括外管(13)和内管(14);外管与所述壳体连接，内管位于外管中，且内管与外管 固定连接的一端具有开口 (15);内管和外管的另一端敞开。4、 根据权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁海峰，
申请(专利权)人：丁海峰，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]