半导体发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。【专利说明】半导体发光器件本申请是申请日为2009年11月16日、申请号为200910212291.X、专利技术名称为“半导体发光器件”的中国专利申请的分案申请。相关申请根据35U.S.C.119和35U.S.C.365，本申请要求韩国专利申请10-2008-0113227(2008年11月14日提交)的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术实施方案涉及半导体发光器件。
技术介绍
II1-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而作为发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的芯材料得到关注。II1-V族氮化物半导体主要包括组成通式为InxAlyGa1^yN(O ^ x ^ I,O ^ y ^ 1,0^ x+y ^ I)的半导体材料。LED是一种半导体器件，其利用化合物半导体的特性通过将电转化为红外线或光来传输/接收信号并且用作光源。采用这种氮化物半导体的LED和LD主要用于发光器件以获得光，并已经作为光源应用于各种设备(例如，便携式电话的键盘、电布告板、照明装置的发光部件)。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在对应于垫的位置处提供的减震构件。`本专利技术实施方案提供一种半`导体发光器件，其包括在对应于垫的多个化合物半导体层上提供的减震构件。本专利技术实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在多个化合物半导体层上提供的减震构件和在所述化合物半导体层的周边部分下方的沟道层。一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括:包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括:包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在第一导电半导体层的周边部分的透明沟道层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；在所述电极层上的导电支撑构件；和对应于所述垫并形成在电极层和导电支撑构件之间的减震构件。在附图和以下说明中阐述了一个或多个实施方案的细节。通过说明书和附图以及通过权利要求将使其它特征变得显而易见。本专利技术还涉及以下实施方案。1.一种半导体发光器件，包括:多个化合物半导体层，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。2.根据I所述的半导体发光器件，其中所述电极层形成在所述减震构件和所述多个化合物半导体层之间。3.根据I所述的半导体发光器件，还包括在所述电极层上的导电支撑构件，其中所述减震构件形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间。4.根据I所述的半导体发光器件，包括在所述电极层的周边部分处形成的沟道层。5.根据4所述的半导体发光器件，其中所述沟道层由金属氧化物或金属氮化物形成。6.根据I所述的半导体发光器件，其中所述减震构件包括W和Mo中的至少一种。7.根据I所述的半导体发光器件，其中所述减震构件通过使用具有高熔点的金属材料形成为约Iym?约10 μ m的厚度。8.根据4所述的半导体发光器件，其中所述沟道层形成在所述电极层和所述多个化合物半导体层之间。9.根据8所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括选自Si02、SiOx, SiOxNy、Si3N4' Al2O3' TiO2, ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖΟ、IGZO、IGTO、AZO, ΑΤΟ、GZ0、IrOx、RuOx、RuOx/1 ΤΟ,Ni / IrOx / Au 和 Ni / IrOx / Au / ITO 中的至少一种。10.根据8所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的内部部分形成在所述多个化合物半导体层上，所述沟道层的外部部分延伸至所述多个化合物半导体层的外侧。11.一种半导体发光器件，包括:多个化合物半导体层，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在所述第一导电半导体层的周边部分处的透明沟道层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述化合物半导体层上的电极层；在所述电极层上的导电支撑构件；和对应于所述垫并且形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间的减震构件。12.根据11所述的半导体发光器件，在所述电极层和所述化合物半导体层之间存在欧姆接触层。13.根据11所述的半导体发光器件，其中所述减震构件在对应于所述垫的区域中形成为具有预定厚度，所述减震构件包括W或Mo。14.根据11所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括导电支撑构件，并且所述减震构件具有在所述导电支撑构件中的柱形或多边棱柱形。15.根据11所述的半导体发光器件，其中所述透明沟道层由绝缘层或导电层形成。16.根据11所述的半导体发光器件，其中所述第一导电半导体层是基于II1-V族化合物半导体的N-型半导体，所述第二导电半导体层是基于II1-V族化合物半导体的P-型半导体。17.根据11所述的半导体发光器件，包括多个垫和多个减震构件。18.根据11所述的半导体发光器件，其中所述减震构件基于W和Mo中的至少一种并具有约Iym?约10 μ m的厚度。19.根据11所述的半导体发光器件，包括在所述电极层和所述第二导电半导体层之间形成的层或多个图案，并包括选自Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、Al203、Ti02、IT0、IZ0、IZT0、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、ΑΖΟ、ΑΤΟ、GZO、IrOx、RuOx 中的至少一种。20.根据11所述的半导体发光器件，包括在所述电极层和所述第二导电半导体层之间形成的N-型半导体层。【专利附图】【附图说明】图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；图2是图1的底视图；图3?9是示出图1的半导体发光器件的制造方法的图；图10是示出根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；图11是示出根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；和图12是示出根据第四实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。【具体实施方式】以下，将参考附图来描述根据实施方案的半导体发光器件。在关于实施方案的说明中，附图所示元件的尺寸只是用于说明性目的，实施方案不限于此。在实施方案的说明中，应理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“之上”或“之下”时，其可以“直接地”或“间接地”在其它的衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。层的这种位置已经参照附图进行描述。图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件100的侧视截面图，图2是图1的底视图。参照图1和2，半导体发光器件100包括:第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、电极层150、减震构件155、导电支撑构件160和垫170。半导体发光器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的第二导电半导体层、以及在所述第一和第二半导体层之间的有源层；设置在所述第一导电半导体层下方的垫；形成在所述第二导电半导体层的上表面的周边部分处的沟道层；设置在所述第二导电半导体层和所述沟道层上的电极层；设置在所述电极层上并对应于所述垫的减震构件；和形成在所述电极层和所述减震构件上的导电支撑构件，其中所述减震构件形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间，其中所述沟道层形成在所述电极层和所述第二导电半导体层之间，其中所述沟道层的内部部分形成在所述发光结构上，所述沟道层的外部部分从所述发光结构的侧壁向外延伸，其中所述导电支撑构件接触所述电极层和所述减震构件，其中所述第一导电半导体层是N?型半导体层，所述第二导电半导体层是P?型半导体层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁换熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：