多芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多芯片封装结构，其特征在于，包括：一铁镍合金支架，具有多个引脚、两个沉降部分以及两个沉降部分之间的载台；所述沉降部分的上端与该引脚相连接，所述沉降部分的下端与该载台相连接；采用铁镍合金材料的支架是因为铁镍的膨胀系数与芯片相近。至少两层芯片，堆叠配置于于所述载台上；多根导线，电性连接于芯片和芯片之间、芯片和铁镍合金支架之间；导线为金线，采用打线结合焊接技术进行芯片的电性连接。封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。本实用新型专利技术所述多芯片封装结构的支架载台经过下沉工艺的处理形成凹槽结构，可以进行四层芯片封装，容量大，芯片平整性强，腔体内无气体残留。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多芯片封装结构，其特征在于，包括：一铁镍合金支架，具有多个引脚、两个沉降部分以及两个沉降部分之间的载台；所述沉降部分的上端与该引脚相连接，所述沉降部分的下端与该载台相连接；至少两层芯片，堆叠配置于于所述载台上；多根导线，电性连接于芯片和芯片之间、芯片和铁镍合金支架之间；封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金若虚，胡立栋，陆春荣，刘鹏，
申请(专利权)人：力成科技苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：