半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带技术

本发明专利技术提供一种半导体晶片的切割方法以及半导体加工用切割带，所述切割方法包括：(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序；(b)对与该晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序；(c)在与该晶片的电路面相反一侧的背面上，贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序；(d)将该晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序；(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序；以及(f)对该半导体晶片进行切断和芯片化的工序，其中，在所述(e)工序之前，所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带
本专利技术涉及半导体器件的制造工序中的半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带。进一步详细而言，本专利技术涉及在使用了支撑部件的半导体元件的制造工序中的半导体晶片的切割方法以及用于该方法的半导体加工用切割带。
技术介绍
对形成有布线图案的半导体晶片的背面进行薄片化加工时，为了保护半导体晶片的图案面以及对半导体晶片本身进行固定，一般在图案面上贴附保护片之后，对背面实施研磨、研削等薄片化加工。作为这样的保护片，一般使用在由塑料膜构成的基材上涂布丙烯酸系粘合剂等而成的片材。但是，近年来由于IC卡和移动电话的薄型化、小型化，半导体芯片的厚度也要求为50μm以下的级别，在使用以往的保护带的工序中，仅利用保护带无法支撑半导体晶片，由于研削后的半导体晶片的翘曲、以及收纳在晶片盒中时产生的挠曲等而难以进行半导体晶片的处理、难以进行操作和搬运的自动化。针对该问题，提出了通过接合剂将玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等贴合在半导体晶片上，从而向半导体晶片赋予支撑性的方法(参照专利文献1)。通过使用玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等支撑部件来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的切割方法，其是包括下述工序的半导体晶片的切割方法：(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序；(b)对与该半导体晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序；(c)在与该半导体晶片的电路面相反一侧的背面上，贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序；(d)将该半导体晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序；(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序；以及(f)对该半导体晶片进行切断而进行芯片化的工序，其特征在于，在所述(e)工序之前，所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。

【技术特征摘要】
2012.05.15 JP 2012-1119711.一种半导体晶片的切割方法，其是包括下述工序的半导体晶片的切割方法：(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半导体晶片的电路面侧的工序；(b)对与该半导体晶片的电路面相反一侧的背面进行薄片化加工的工序；(c)在与该半导体晶片的电路面相反一侧的背面上，贴合至少具有紫外线固化型粘合剂层的切割带的工序；(d)将该半导体晶片从该接合剂层以及支撑部件上剥离的工序；(e)使用有机溶剂对该半导体晶片上的该接合剂的残渣进行清洗的工序；以及(f)对该半导体晶片进行切断而进行芯片化的工序，其特征在于，在所述(e)工序之前，所述切割带上未贴合有所述半导体晶片的区域的粘合剂层经紫外线照射进行了固化。2.如权利要求1所述的半导体晶片的切割方法，其特征在于，所述经紫外线照射的固化是利用下述方法来进行的：在所述(c)工序之后，(h1)从半导体晶片侧进行紫外线照射；(h2)隔着掩模从切割带侧进行紫外线照射；或者(h3)在所述(c)工序之前隔着掩模对未贴合半导体晶片的区域的粘合剂层部分进行紫外线照射。3.一种半导体加工用切割带，其特征在于，其用于下述半导体晶片的切割方法，该半导体晶片的切割方法包括下述工序：(a)通过接合剂将支撑部件贴合在半...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉川有理，大田乡史，矢吹朗，服部聪，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：