【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种超低功耗阻变非挥发性存储器，其特征在于，该超低功耗阻变非挥发性存储器包括：Si衬底；形成在该Si衬底之上的SiO2层；以及在该SiO2层表面形成的四端电极结构；其中，该四端电极结构包括第一至第四电极，四个电极呈顺时针方向排列，第一及第三电极相对构成上下电极对，第二及第四电极相对构成左右电极对，两个电极对的中心连线相互垂直。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙海涛，杨洪璋，刘琦，吕杭柄，牛洁斌，张培文，路程，李友，龙世兵，谢常青，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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