一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法，包括:衬底预备;腔体抽真空;通入工作气体与反应气体，调整其流量值;调整工作气压，打开电源，气体电离，开始反应;待系统稳定后，打开挡板，开始淀积;淀积一段时间后，调整反应气体流量，继续反应;结束反应，关闭电源但腔体内持续抽真空，待温度至室温后取出。利用本发明专利技术，解决了目前制备多层结构的阻变存储器功能层氧化物薄膜时容易引入不宜的界面态、导致界面污染、流程复杂、薄膜性能不高的一系列问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法，其特征在于，包括:步骤1:衬底预备;步骤2:腔体抽真空;步骤3:通入工作气体与反应气体，调整其流量值;步骤4:调整工作气压，打开电源，气体电离，开始反应;步骤5:待系统稳定后，打开挡板，开始淀积;步骤6:淀积一段时间后，调整反应气体流量，继续反应;步骤7:结束反应，关闭电源但腔体内持续抽真空，待温度至室温后取出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海涛，刘明，龙世兵，吕杭炳，刘琦，刘宇，张康玮，路程，杨洪璋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：