TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法，包括以下步骤：1）通过水热法在导电基片上直接生长TiO2/SnO2复合纳米棒阵列；2）将步骤1）得到的生长有TiO2/SnO2复合纳米棒阵列的导电基片在200～800℃下退火1～5小时，得到TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关。本发明专利技术制备的TiO2/SnO2复合纳米棒阵列结构的电阻开关能够实现较好的室温电阻开关特性，并且在低温下有更大的电阻开关效应，而且循环稳定性良好，能够用于制备电阻开关式非挥发性存储器的原始模型。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1）通过水热法在导电基片上直接生长TiO2/SnO2复合纳米棒阵列；2）将步骤1）得到的生长有TiO2/SnO2复合纳米棒阵列的导电基片在200～800℃下退火1～5小时，得到TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李长明，孙柏，谷爽，
申请(专利权)人：西南大学，
类型：发明
国别省市：