半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，该器件包括：衬底；位于衬底的晶体管，包括：栅极、源极和漏极；位于衬底和晶体管上的第一层间介质层；位于第一层间介质层内的第一和第二导电插塞；位于第一层间介质层上的第一和第二互连线，第一、第二互连线分别与第一、第二导电插塞电连接；位于第一层间介质层、第一和第二互连线上的第二层间介质层；位于第一和第二层间介质层内的第三导电插塞；位于第二层间介质层上并与第三导电插塞电连接的第三互连线；第一、第二和第三导电插塞中，一个与源极电连接、一个与漏极电连接、另一个与栅极电连接。该器件减小了与晶体管连接的互连线之间的寄生电容，提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
结合图1和图2所示，现有射频（RF）电路包括：衬底1；位于衬底1的晶体管，包括：栅极2、源极3和漏极4；位于衬底1和晶体管上的第一层间介质层5；位于第一层间介质层5内的第一导电插塞7A、第二导电插塞7B和第三导电插塞7C，第一导电插塞7A与栅极2电连接，第二导电插塞7B与源极3电连接，第三导电插塞7C与漏极4电连接；位于第一层间介质层5上的第一互连线6A、第二互连线6B和第三互连线6C，三者位于同一层，第一互连线6A与第一导电插塞7A电连接，第二互连线6B与第二导电插塞7B电连接，第三互连线6C和第三导电插塞7C电连接；位于第一互连线6A、第二互连线6B、第三互连线6C和第一层间介质层5上的第二层间介质层8。射频电路工作时，射频信号会经由第二互连线6B上方的其他互连线（未图示）发送至第二互连线6B、再被第三互连线6C接收，或者，射频信号会经由第三互连线6C上方的其他互连线（未图示）发送至第三互连线6C、再被第二互连线6B接收。但是，在实际应用中发现，该射频电路中存在严重的射频信号泄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底的晶体管，包括：栅极、源极和漏极；位于所述衬底和晶体管上的第一层间介质层；位于所述第一层间介质层内的第一导电插塞和第二导电插塞；位于所述第一层间介质层上的第一互连线和第二互连线，所述第一互连线与第一导电插塞电连接，所述第二互连线与第二导电插塞电连接；位于所述第一层间介质层、第一互连线和第二互连线上的第二层间介质层；位于所述第一层间介质层和第二层间介质层内的第三导电插塞；位于所述第二层间介质层上的第三互连线，所述第三互连线与第三导电插塞电连接；所述第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞中，一个与所述源极电连接、一个与所述漏极电连接、另一个与所...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底的晶体管，包括：栅极、源极和漏极；位于所述衬底和晶体管上的第一层间介质层；位于所述第一层间介质层内的第一导电插塞和第二导电插塞；位于所述第一层间介质层上的第一互连线和第二互连线，所述第一互连线与第一导电插塞电连接，所述第二互连线与第二导电插塞电连接，所述第一互连线与第二互连线位于同一层；位于所述第一层间介质层、第一互连线和第二互连线上的第二层间介质层；位于所述第一层间介质层和第二层间介质层内的第三导电插塞；位于所述第二层间介质层上的第三互连线，所述第三互连线与第三导电插塞电连接；所述第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞中，一个与所述源极电连接、一个与所述漏极电连接、另一个与所述栅极电连接。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为射频开关。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述第二层间介质层内的第四导电插塞和第五导电插塞，所述第四导电插塞与第一互连线电连接，所述第五导电插塞与第二互连线电连接；位于所述第二层间介质层上的第四互连线和第五互连线，所述第四互连线与第四导电插塞电连接，所述第五互连线与第五导电插塞电连接。4.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成位于所述衬底的晶体管，所述晶体管包括：栅极、源极和漏极；在所述衬底和晶体管上形成第一层间介质层；在所述第一层间介质层内形成第一导电插塞和第二导电插塞；在所述第一层间介质层上形成第一互连线和第二互连线，所述第一互连线与第一导电插塞电连接，所述第二互连线与第二导电插塞电连接，所述第一互连线与第二互连线位于同一层；在所述第一互连线、第二互连线和第一层间介质层上形成第二层间介质层；在所述第一层间介质层及第二层间介质层内形成第三导电插塞；在所述第二层间介质层上形成第三互连线，所述第三互连线与第三导电插塞电连接；所述第一导电插塞、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：