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一种半导体器件及其形成方法，该器件包括：衬底；位于衬底的晶体管，包括：栅极、源极和漏极；位于衬底和晶体管上的第一层间介质层；位于第一层间介质层内的第一和第二导电插塞；位于第一层间介质层上的第一和第二互连线，第一、第二互连线分别与第一、第二导...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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