【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括位于所述半导体衬底表面的栅氧化层和位于所述栅氧化层表面的多晶硅栅；对所述堆叠结构的顶部和侧壁表面进行碳离子注入；对所述堆叠结构的顶部和侧壁表面进行氮离子注入；在所述堆叠结构的顶部和侧壁表面形成第一氧化硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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