下载栅极结构及形成方法、半导体结构及形成方法的技术资料

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一种栅极结构及形成方法,具有所述栅极结构的半导体结构及形成方法,所述栅极结构的形成方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成堆叠结构,所述堆叠结构包括位于所述半导体衬底表面的栅氧化层和位于所述栅氧化层表面的多晶硅栅;对所述堆叠结构的...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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