【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种肖特基位障二极管，其特征在于，包含：一半导体层，具有多个开口，以形成一开口矩阵；以及一阳极，具有形成于该多个开口中的多个导电突出部，以形成一导电矩阵；其中，该半导体层与该阳极间，形成肖特基接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：管杰雄，廖庭维，邱建维，黄宗义，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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