【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种功率半导体芯片栅极区，其特征在于，包括位于芯片元胞区内的主栅极区、包围所述主栅极区的第一栅极条，位于所述主栅极区和所述第一栅极条之间的栅电阻区，其中，所述栅电阻区内设置有至少两个子电阻，每个所述子电阻的一端与所述主栅极区连接，所述子电阻的另一端与所述第一栅极条连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国友，覃荣震，黄建伟，罗海辉，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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