半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件。一种半导体部件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；位于所述沟槽中的栅电极。所述半导体部件还包括位于所述沟槽中并在所述栅电极和所述沟槽的底部之间延伸的源电极。所述栅电极的上表面的平面度小于或等于50nm。在这种情况下，栅电极的截面积与现有技术相比被增大，从而降低了栅极电阻并由此降低了半导体部件的总导通电阻，改善了半导体部件的性能。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体部件，该半导体部件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；位于所述沟槽中的栅电极，其特征在于，所述栅电极的上表面的平面度小于或等于50nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：M维莱迈耶，O布兰克，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：实用新型
国别省市：