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本实用新型涉及半导体部件、垂直MOSFET、IGBT结构和集成半导体器件。一种半导体部件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽由上沟槽部分和下沟槽部分构成，其中上沟槽部分比下沟槽部分窄；位于所述沟槽中的栅电极。所述半导体部...
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