【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体元件背面铜金属的改良结构，其特征在于，其包括有：一基板；一主动层，是形成于该基板正面，且该主动层包含有至少一集成电路；一背面金属种子层，是形成于该基板的背面，且该背面金属种子层的材料为钯；至少一热膨胀缓冲层，是形成于该背面金属种子层的下方；以及一背面金属层，是形成于该热膨胀缓冲层的下方，且该背面金属层的材料为铜；其中该热膨胀缓冲层的热膨胀系数是介于该背面金属种子层以及该背面金属层之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建成，花长煌，朱文慧，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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