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本发明公开一种半导体元件背面铜金属的改良结构及其加工方法，其中前述改良结构由上而下依序包括有一主动层、一基板、一背面金属种子层、至少一热膨胀缓冲层、一金属层以及至少一抗氧化金属层，其中该背面金属种子层的材料为钯(Pd)，且其中该热膨胀缓冲层...
该专利属于稳懋半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过稳懋半导体股份有限公司授权不得商用。

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