用于增强III-V半导体膜中的p-型掺杂的方法技术

技术编号:9281340 阅读:97 留言:0更新日期:2013-10-25 00:59
本发明专利技术提供了掺杂半导体膜的方法。所述方法包括在促进掺杂有p-型掺杂剂的III-V半导体膜的形成的条件下,在掺杂剂、能够用作电子库的表面活性剂和氢存在的情况下,生长III-V半导体膜外延。在所述方法的一些实施方式中,掺杂的III-V半导体膜的外延生长在第一氢分压下开始,所述第一氢分压在外延生长过程的过程中被升高至第二氢分压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯·柳杰拉尔德·斯特林费洛俊逸·朱
申请(专利权)人:犹他大学研究基金会
类型:
国别省市:

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