Al基合金溅射靶及Cu基合金溅射靶制造技术

在将距Al基合金或Cu基合金溅射靶的最表面1mm以内的深度的溅射面法线方向的结晶方位±15°、±15°、±15°、±15°及±15°的合计面积率设为P值时，满足下述（1）及/或（2）的要件，由此可提高预溅射时以及接着进行的向基板等的溅射时的成膜速度，且能够抑制飞溅等溅射不良。其中，（1）相对于所述P值的±15°的面积率PA：40%以下，（2）相对于所述P值的±15°和±15°的合计面积率PB：20%以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本克史，中井淳一，高木敏晃，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，株式会社钢臂功科研，
类型：
国别省市：