【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种成膜方法，是在真空槽内使衬底和靶相对，通过溅射法在前述衬底上成膜的成膜方法，其特征在于，将前述靶的表面温度控制为比常温高的规定温度，与未使前述靶的表面温度成为前述规定温度时相比，在前述衬底上形成高电阻的被膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：川又由雄，宇都宫信明，伊藤昭彦，
申请(专利权)人：芝浦机械电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。