本发明专利技术提供一种溅射靶，其是含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物的溅射靶，其中，含有ZnGa2O4所示的化合物及InGaZnO4所示的化合物。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种溅射靶，其中，含有InGaO3(ZnO)m所示的同系结构化合物及ZnGa2O4所示的尖晶石结构化合物，InGaO3(ZnO)m中，m为1～20的整数。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上一吉，矢野公规，宇都野太，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：
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