氮化物半导体发光元件及其制造方法技术

技术编号:9159963 阅读:151 留言:0更新日期:2013-09-14 12:12
本发明专利技术涉及一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。能够不使发光强度及驱动电压恶化而提高静电耐压。在发光层(7)的n电极(12)一侧,由InxGa1-xN(0

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:海原竜
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:
国别省市:

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