氮化物半导体发光元件及其制造方法技术资料下载

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文档序号：9159963

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本发明涉及一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。能够不使发光强度及驱动电压恶化而提高静电耐压。在发光层（7）的n电极（12）一侧，由InxGa1-xN（0该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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