一种动态随机存取存储器的变频方法技术

本发明专利技术公开了一种DRAM的变频方法，包括：冻结与该DRAM相关的外部设备，禁止外部设备输出请求新数据的指令；控制DRAM进入省电模式或进行自刷新；将第一变频代码拷贝至预设缓冲区；运行第一变频代码，控制锁相环将DRAM的时钟频率调整至预设频率；控制DRAM退出省电模式或停止自刷新；解冻外部设备，允许外部设备输出请求新数据的指令。基于本发明专利技术公开的变频方法，在DRAM进行变频过程中，微处理器不会向DRAM发出访问请求，保证了微处理器不会从DRAM中获取错误数据，而是将已缓存的有效数据传输至外部设备，确保在DRAM变频过程中，外部设备不会获取错误数据的问题，进而提高用户的用户体验。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器DRAM的变频方法，其特征在于，包括：冻结与所述DRAM相关的外部设备，禁止所述外部设备输出请求新数据的指令；控制所述DRAM进入省电模式或进行自刷新；将第一变频代码拷贝至预设缓冲区；运行所述第一变频代码，控制锁相环将所述DRAM的时钟频率调整至预设频率；控制所述DRAM退出省电模式或停止自刷新；解冻所述外部设备，允许所述外部设备输出请求新数据的指令。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：操冬华，胡胜发，
申请(专利权)人：安凯广州微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：