应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构制造技术

根据本发明专利技术实施例的应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，包括：钨下电极；形成在钨下电极之上的氧化钨层；形成在氧化钨层之上的氧化铝层；以及形成在氧化铝层之上的铝上电极。本发明专利技术利用铝、钨两种金属与氧离子结合的不同特性，得到的阻变存储器具有更稳定的性能，更低的功耗和更大的高低阻比值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种应用于阻变存储器的Al?W?O堆叠结构，其特征在于，包括：钨下电极；形成在所述钨下电极之上的氧化钨层；形成在所述氧化钨层之上的氧化铝层；以及形成在氧化铝层之上的铝上电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白越，吴明昊，吴华强，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：