一种单极型忆阻器及其制备方法技术

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非线性电路应用领域，具体涉及。
技术介绍
早在1971年，国际非线性电路和细胞神经网络理论先驱，美国加州大学Berkeley分校的Leon Chua(蔡少棠)基于电路理论逻辑上的完整性，从理论上预言电路中除了电阻、电容、电感外的第四个基本元件一忆阻器的存在。2008年5月，惠普实验室的研究人员成功实现了世界上首个能工作的忆阻器原型，从而证实了 Chua有关忆阻器的学说，引起了世界范围内的强烈关注。由于忆阻器具有非易失性、突触功能和纳米尺度结构，在高密度非易失性存储器、人工神经网络、大规模集成电路、可重构逻辑和可编程逻辑、生物工程、模式识别、信号处理等领域具有巨大的应用前景，将为制造存储精度无限、超高存储密度的非易失性存储设备、具有能够调节神经元突触权的人工神经网络和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等的发展铺平道路，给计算机的制造和运行方式带来革命性变革。作为一种新的基本电路元件，忆阻器的出现增加了电路元件的多样化，为电路理论研究和电路设计提供了一种全新的发展空间。随着HP忆阻器的发现，国际上一些从事阻性存储研究的科研机构和学者也相继开展了有关实物忆阻器方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单极型纳米薄膜忆阻器，其特征在于：包括两个电极及置于二者之间的Ba(1?x)SrxTiO3?δ纳米薄膜，其中，0

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉霞，郭梅，
申请(专利权)人：山东科技大学，
类型：发明
国别省市：