一种非极性阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p+型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn2O4及其掺杂物，掺杂元素包括Y、Sc、Mg、Si、Sn和In，厚度为20nm到1200nm。金属上电极材料包括Al、Ag、Au、Cu、Ni、Pt和Ti，其厚度为50nm到200nm。本发明专利技术的优点是：同一种结构的阻变存储器同时具备双极性和单极性的存储特性。根据不同极性的阻变存储特性，可扩展阻变存储器的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器领域，尤其涉及。
技术介绍
信息科技的飞速发展对存储器的性能提出了更高要求，广泛应用于手机、MP3播放器、数码相机等移动设备的Flash存储器，在过去二十年的发展中紧跟CMOS等比例缩放步伐。然而，当半导体产业进入22nm技术节点后，Flash存储器的进一步发展受到了严峻挑战。Flash存储基于电荷存储机制随着器件尺寸不断缩小Flash的发展受到限制，随着隧穿层厚度的不断减小，电荷的泄露将会变得越来越严重，这将直接影响Flash存储器的性能。半导体业界普遍预计，Flash存储器将止步45nm技术节点。因此寻找一种可行的非基于电荷存储机制的新型存储器替代Flash存储器成为必然的选择。在这种形势下，各类新型存储技术应运而生，作为非挥发性存储器的代表，闪速存储器存在读写速度慢、存储密度低等技术障碍，同时还面临严重的缩放问题。随着传统存储单元结构发展已逼近尺寸极限，多种新型非易失性存储器已被广泛研究和开发，其中最具开发潜力的包括:电致阻变存储器(RRAM)、磁存储器(MRAM)、铁电存储器(FRAM)和相变存储器(PRAM)。RRAM是利用阻变介质材料的电阻在电场作用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非极性阻变存储器，包括从下至上叠接的导电衬底兼下电极，阻变存储介质及在存储介质上的金属上电极三层结构，其特征在于，所述阻变存储器同时具备双极性和单极性的阻变行为，即非极性存储行为，阻变存储介质为ZnMn2O4及其掺杂物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许积文，王华，周尚菊，杨玲，丘伟，张玉佩，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：