一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明专利技术的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器领域，具体是一种钛酸铋阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
近年来，随着手机、数码相机、个人电脑和平板电脑等便携式电子产品的普及，非易失性存储器的重要性日益凸显。由消费类产品驱动的存储器市场需要更高密度、高速度、低功耗、具有不挥发性且价格便宜的存储器产品。浮栅式存储器(Flash)是非易失性存储器市场上的主流器件。但是随着技术节点的不断推进，Flash存储器面临着严峻的技术挑战。为了适应未来技术对非易失性存储器的要求，多种新型存储器，例如铁电存储器(FRAM)、磁性存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM)以及阻变存储器(RRAM)应运而生。其中RRAM由于具有操作速度快、功耗低、结构简单、集成密度高、可缩小性好以及与CMOS技术兼容等优点弓I起广泛关注。RRAM利用材料电阻率的可逆转换实现二进制信息的存储。由于能够实现电阻可逆转换的材料非常多，因此容易选择出制备工艺简单且能够与CMOS工艺兼容的材料。在RRAM研发中，高性能电致阻变材料的开发和单元器件结构的设计最为引人关注。近十来，在多种材料体系中均发现了电致阻变效应，例如Pra7Caa3MnO3等稀土锰氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于钛酸铋的阻变存储器件，包括从下至上叠接的衬底、下电极、阻变介质层和上电极四层材料，其特征是：阻变介质层为钛酸铋及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，掺杂含量低于10at%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许积文，王华，周尚菊，杨玲，丘伟，张玉佩，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：