一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器，属于太赫兹通信调制技术领域。该多层结构由金衬底、环烯烃共聚物介质层与金—砷化镓—二氧化钒顶层图案组成。基于超材料吸收体原理，本发明专利技术设计的超表面具有半加器的功能，为今后太赫兹多功能逻辑器件的设计提供一种了新思路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太赫兹超材料吸收器应用，具体而言，涉及一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器。

技术介绍

1、二氧化钒(vo2)是一种具有相变性质的金属氧化物，其相变温度为68℃，相变前后结构的变化导致对红外光由透射向反射的可逆转变。由于其内部电子、轨道、晶格和自旋的强相互作用，外界微小刺激引起的局域电子和晶体结构的变化即可诱导vo2发生可逆的金属-绝缘体相变。伴随相变，vo2的晶体结构、电阻、红外光透过率、折射率和磁化率等发生急剧的变化。正是因为vo2近室温的相变温度和相变前后物理化学性质的突变，使其在电子、军事、日常生活等方面具有非常广泛的应用前景。

2、砷化镓(gaas)是一种光敏半导体，比硅具有更高的电子迁移率、更大的带隙宽度和更低的损耗。其电导率可以通过自由载流子的光激发来调节，这比热激发更容易实现且效率更高。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件。

3、光半加器在数字光学系统和光处理器中能够执行光学微操作，处理单元中的算术逻辑单元执行各种运算。在光学计算本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器，其特征在于：所述衬底层长和宽相等；所述衬底层的材料为金；所述衬底层厚度为0.2μm；所述介质层长和宽相等；所述介质层单元结构的材料为环烯烃共聚物(TOPAS)；所述介质层厚度为5.5μm；所述金—砷化镓—二氧化钒图案层的厚度为0.2μm；所述超表面单元结构的边长P为88μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器，太赫兹发射器发出...

【技术特征摘要】

1.一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器，其特征在于：所述衬底层长和宽相等；所述衬底层的材料为金；所述衬底层厚度为0.2μm；所述介质层长和宽相等；所述介质层单元结构的材料为环烯烃共聚物(topas)；所述介质层厚度为5.5μm；所述金—砷化镓—二氧化钒图案层的厚度为0.2μm；所述超表面单元结构的边长p为88μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：朱爱军，张孟逸，胡聪，张恒俊，许川佩，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：

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