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本发明公开了一种基于二氧化钒与砷化镓超表面的半加器，属于太赫兹通信调制技术领域。该多层结构由金衬底、环烯烃共聚物介质层与金—砷化镓—二氧化钒顶层图案组成。基于超材料吸收体原理，本发明设计的超表面具有半加器的功能，为今后太赫兹多功能逻辑器件的...
该专利属于桂林电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林电子科技大学授权不得商用。

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