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根据本发明实施例的应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，包括：钨下电极；形成在钨下电极之上的氧化钨层；形成在氧化钨层之上的氧化铝层；以及形成在氧化铝层之上的铝上电极。本发明利用铝、钨两种金属与氧离子结合的不同特性，得到的阻变存储器具有更稳...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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